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参数资料
| 型号： | BF245B,126 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 8/13页 |
| 文件大小： | 286K |
| 描述： | JFET N-CH 30V 25MA TO-92 |
| 标准包装： | 10,000 |
| 晶体管类型： | N 通道 JFET |
| 频率： | 100MHz |
| 电压 - 测试： | 15V |
| 额定电流： | 15mA |
| 噪音数据： | 1.5dB |
| 电压 - 额定： | 30V |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 供应商设备封装： | TO-92-3 |
| 包装： | 带盒（TB） |
| 其它名称： | 933114330126 BF245B AMO BF245B AMO-ND |
1996 Jul 30
4
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel silicon field-effect transistors BF245A; BF245B; BF245C
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Common source; Tamb
=25?C; unless otherwise specified.
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNIT
Cis
input capacitance
VDS
=20V; VGS
=
?1V; f=1MHz
?
4
?
pF
Crs
reverse transfer capacitance VDS
=20V; VGS
=
?1V; f=1MHz
?
1.1
?
pF
Cos
output capacitance
VDS
=20V; VGS
=
?1V; f=1MHz
?
1.6
?
pF
gis
input conductance
VDS
=15V; VGS
=0; f=200MHz
?
250
??S
gos
output conductance VDS
=15V; VGS
=0; f=200MHz
?
40
??S
?yfs?
forward transfer
admittance V
DS
=15V; VGS
=0; f=1kHz 3
?
6.5 mS
VDS
=15V; VGS
=0; f=200MHz
?
6
?
mS
?yrs?
reverse transfer admittance VDS
=15V; VGS
=0; f=200MHz
?
1.4
?
mS
?yos?
output admittance VDS
=15V; VGS
=0; f=1kHz
?
25
??S
fgfs
cut-off frequency
VDS
=15V; VGS
=0; gfs
= 0.7 of its
value at 1 kHz
?
700
?
MHz
Fnoise figure VDS
=15V; VGS
=0; f=100MHz;
RG
=1k?
(common source);
input tuned to minimum noise
?
1.5
?
dB
handbook, halfpage?10
?10?3
0
?10?2
?10?1
?1
150
50
MGE785
100
typ
Tj
(
°C)
IGSS
(nA)
Fig.2 Gate leakage current as a function of
junction temperature; typical values.
VDS
=0; VGS
=
?20 V.
Fig.3 Transfer characteristics for BF245A;
typical values.
handbook, halfpage6ID
40?2VGS
(V)
(mA)
0?
MGE789
5
4
3
2
1
VDS
=15V; Tj
=25?C.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BF245B,112 | JFET N-CH 30V 25MA TO-92 |
| CDV19EF620JO3F | CAP MICA 62PF 1KV 5% RADIAL |
| E2011 | SW TOGGLE SPST 3A SLD LUG |
| 3296Y-1-104LF | TRIMMER 100K OHM 0.5W TH |
| BF245A,112 | JFET N-CH 30V 6.5MA TO92-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BF245C | 功能描述:JFET N-Channel Transistor RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| BF245C,112 | 功能描述:射频JFET晶体管 BULK FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| BF245C | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR JFET N TO-92 |
| BF245C_D26Z | 功能描述:JFET N-Channel Transistor RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| BF245C_D27Z | 功能描述:JFET N-Channel Transistor RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
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