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参数资料
| 型号： | BF512 |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel silicon FET |
| 封装： | BF512<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BF512<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,; |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 234K |
| 代理商： | BF512 |
December 1997
3
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel silicon field-effect transistors
BF510 to 513
RATINGS
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)
THERMAL RESISTANCE
Note
1.
Mounted on a ceramic substrate of 8 mm
10 mm
0.7 mm.
STATIC CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
C
Drain-source voltage
Drain-gate voltage (open source)
Drain current (DC or average)
Gate current
Total power dissipation up to T
amb
= 40
C (note 1)
Storage temperature range
Junction temperature
V
DS
V
DGO
I
D
I
G
P
tot
T
stg
T
j
max.
max.
max.
max.
max.
65 to
150
C
max.
20 V
20 V
30 mA
10 mA
250 mW
150
C
From junction to ambient (note 1)
R
th j-a
=
430 K/W
BF510
511
512
513
Gate cut-off current
V
GS
= 0.2 V; V
DS
= 0
Gate-drain breakdown voltage
I
S
= 0;
I
D
= 10
A
Drain current
V
DS
= 10 V; V
GS
= 0
I
GSS
10
10
10
10 nA
V
(BR)GDO
20
20
20
20 V
<
0.7
3.0
2.5
7.0
6
12
10
18
mA
mA
I
DSS
Gate-source cut-off voltage
I
D
= 10
A; V
DS
= 10 V
V
(P)GS
typ.
0.8
1.5
2.2
3 V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BF513 | N-channel silicon FET |
| BF545A | N-channel FET |
| BF545B | N-channel FET |
| BF545C | N-channel FET |
| BF556A | N-channel FET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BF512 T/R | 功能描述:射频JFET晶体管 TAPE7 FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| BF512,215 | 功能描述:射频JFET晶体管 TAPE7 FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| BF512,235 | 功能描述:射频JFET晶体管 N-Channel Single 20V 30mA RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| BF512T/R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 6MA I(DSS) | TO-236 |
| BF513 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel silicon field-effect transistors |
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