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参数资料
| 型号： | BF512 |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel silicon FET |
| 封装： | BF512<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BF512<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,; |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 234K |
| 代理商： | BF512 |
December 1997
5
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel silicon field-effect transistors
BF510 to 513
Fig.4 Power derating curve.
handbook, halfpage
0
Tamb (
°
C)
Ptot
(mW)
200
100
0
40
200
80
120
160
MDA245
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BF513 | N-channel silicon FET |
| BF545A | N-channel FET |
| BF545B | N-channel FET |
| BF545C | N-channel FET |
| BF556A | N-channel FET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BF512 T/R | 功能描述:射频JFET晶体管 TAPE7 FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| BF512,215 | 功能描述:射频JFET晶体管 TAPE7 FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| BF512,235 | 功能描述:射频JFET晶体管 N-Channel Single 20V 30mA RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| BF512T/R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 6MA I(DSS) | TO-236 |
| BF513 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel silicon field-effect transistors |
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