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参数资料
| 型号： | BF556A |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel FET |
| 封装： | BF556A<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BF556A<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,; |
| 文件页数： | 2/14页 |
| 文件大小： | 118K |
| 代理商： | BF556A |
BF556A_BF556B_BF556C
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 4 — 15 September 2011
2 of 14
NXP Semiconductors
BF556A; BF556B; BF556C
N-channel silicon junction field-effect transistors
2. Pinning information
Table 2.
Pin
1
2
3
3. Ordering information
Table 3.
Type number
4. Marking
Table 4.
Type number
BF556A
BF556B
BF556C
[1]
* = p: made in Hong Kong.
* = t: made in Malaysia.
* = W: made in China.
Pinning
Description
source (s)
drain (d)
gate (g)
Simplified outline
Symbol
1
2
3
sym054
d
s
g
Ordering information
Package
Name
-
Description
plastic surface mounted package; 3 leads
Version
SOT23
BF556A
BF556B
BF556C
Marking
Marking code
[1]
24*
25*
26*
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BF556B | N-channel FET |
| BF556C | N-channel FET |
| BF861A | N-channel FET |
| BF861B | N-channel FET |
| BF861C | N-channel FET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BF556A,215 | 功能描述:射频JFET晶体管 TAPE7 FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| BF556A,235 | 功能描述:射频JFET晶体管 N-Channel Single ’+/- 30V 7mA RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| BF556A/B/C | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:N-Channel Silicon Junction Field Effect Transistors |
| BF556B | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel silicon junction field-effect transistors |
| BF556B T/R | 功能描述:射频JFET晶体管 TAPE7 FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
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