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参数资料
| 型号： | BF556A |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel FET |
| 封装： | BF556A<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BF556A<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,; |
| 文件页数： | 6/14页 |
| 文件大小： | 118K |
| 代理商： | BF556A |
BF556A_BF556B_BF556C
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 4 — 15 September 2011
6 of 14
NXP Semiconductors
BF556A; BF556B; BF556C
N-channel silicon junction field-effect transistors
V
DS
= 15 V.
Common-source output conductance as a
function of gate-source cut-off voltage; typical
values.
V
DS
= 100 mV; V
GS
= 0 V.
Drain-source on-state resistance as a function
of gate-source cut-off voltage; typical values.
Fig 4.
Fig 5.
BF556A
(1) V
GS
= 0 V.
(2) V
GS
=
0.5 V.
(3) V
GS
=
1.0 V.
BF556B
(1) V
GS
= 0 V.
(2) V
GS
=
0.5 V.
(3) V
GS
=
1.0 V.
(4) V
GS
=
1.5 V.
(5) V
GS
=
2.0 V.
(6) V
GS
=
2.5 V.
Fig 7.
Typical output characteristics.
Fig 6.
Typical output characteristics.
V
GSoff
(V)
0
8
6
2
4
mrc153
40
60
20
80
100
G
os
(
μ
S)
0
V
GSoff
(V)
0
8
6
2
4
mrc155
100
200
300
R
DSon
(
Ω
)
0
V
DS
(V)
0
16
12
4
8
mrc145
2
3
1
4
5
I
D
(mA)
0
(1)
(3)
(2)
V
DS
(V)
0
16
12
4
8
mrc146
8
4
12
16
I
D
(mA)
0
(1)
(6)
(2)
(3)
(4)
(5)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BF556B | N-channel FET |
| BF556C | N-channel FET |
| BF861A | N-channel FET |
| BF861B | N-channel FET |
| BF861C | N-channel FET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BF556A,215 | 功能描述:射频JFET晶体管 TAPE7 FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| BF556A,235 | 功能描述:射频JFET晶体管 N-Channel Single ’+/- 30V 7mA RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| BF556A/B/C | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:N-Channel Silicon Junction Field Effect Transistors |
| BF556B | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel silicon junction field-effect transistors |
| BF556B T/R | 功能描述:射频JFET晶体管 TAPE7 FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
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