- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录378411 > BF556C (NXP Semiconductors N.V.) N-channel FET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | BF556C |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel FET |
| 封装： | BF556C<SOT23 (SOT23)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,; |
| 文件页数： | 9/14页 |
| 文件大小： | 118K |
| 代理商： | BF556C |
BF556A_BF556B_BF556C
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 4 — 15 September 2011
9 of 14
NXP Semiconductors
BF556A; BF556B; BF556C
N-channel silicon junction field-effect transistors
V
DS
= 10 V; I
D
= 1 mA; T
amb
= 25
C.
(1) g
fs
.
(2)
b
fs
.
Fig 16. Common-source transfer admittance; typical
values.
V
DS
= 10 V; I
D
= 1 mA; T
amb
= 25
C.
(1) b
rs
.
(2) g
rs
.
Fig 17. Common-source reverse admittance; typical
values.
V
DS
= 10 V; I
D
= 1 mA; T
amb
= 25
C.
(1) b
os
.
(2) g
os
.
Fig 18. Common-source output admittance;typical
values.
V
DS
= 10 V; I
D
= 1 mA.
Fig 19. Equivalent noise voltage as a function of
frequency.
f (MHz)
10
10
3
10
2
mrc141
1
10
g
fs
,
b
fs
(mS)
10
1
(1)
(2)
mrc144
f (MHz)
10
10
3
10
2
10
2
10
1
1
10
b
rs,
g
rs
(mS)
10
3
(1)
(2)
mrc143
1
10
1
10
b
os,
g
os
(mS)
10
2
f (MHz)
10
10
3
10
2
(1)
(2)
mrc278
10
2
10
10
3
V
n
(V)
1
f (Hz)
10
10
5
10
4
10
2
10
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BF861A | N-channel FET |
| BF861B | N-channel FET |
| BF861C | N-channel FET |
| BF862 | N-channel junction FET |
| BF904A | N-channel dual-gate MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BF556C T/R | 功能描述:射频JFET晶体管 TAPE7 FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| BF556C,215 | 功能描述:射频JFET晶体管 TAPE7 FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| BF562 | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:npn silicon rf transistor |
| BF568 | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:PNP SILICON PLANAR TRANSISTOR |
| BF569 | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:PNP Silicon RF Transistor (fOR OSCILLATORS, MIXERS AND SELF-OSCILLATING MIXER STAGES IN uhf tv TUNERS) |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。