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参数资料
| 型号： | BF861AT/R |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 11/13页 |
| 文件大小： | 73K |
| 代理商： | BF861AT/R |
9397 750 13395
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 04 — 24 September 2004
7 of 13
Philips Semiconductors
BF861A; BF861B; BF861C
N-channel junction FETs
VDS =8V.
(1) VGS =0V.
(2) VGS = 200 mV.
(3) VGS = 400 mV.
(4) VGS = 600 mV.
(5) VGS = 800 mV.
(6) VGS = 1V.
Fig 10. Typical input characteristics; BF861C.
Fig 11. Typical output characteristics; BF861C.
VDS =8V.
f = 1 MHz.
VDS =8V.
(1) ID = 10 mA.
(2) ID = 1 mA.
(3) ID = 0.1 mA.
(4) ID =IGSS.
Fig 12. Input and reverse transfer capacitance as
functions of gate-source voltage; typical
values.
Fig 13. Gate current as a function of drain-gate
voltage; typical values.
VGS (V)
2.5
0
0.5
1.5
1
2
mbd469
8
12
4
16
20
ID
(mA)
0
VDS (V)
010
8
46
2
mbd470
8
12
4
16
20
ID
(mA)
0
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
VGS (V)
80
2
6
4
mbd471
4
6
2
8
10
Cis, Crs
(pF)
0
Crs
Cis
mbd472
IG
(nA)
102
104
103
10
1
101
102
105
VDG (V)
025
20
10
15
5
(1)
(2)
(3)
(4)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BF861C-T | 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB |
| BF988B | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-50 |
| BFCN-7500+ | 7500 MHz, CERAMIC BPF |
| BFCN-ED13661/10 | 8350 MHz, BAND PASS FILTER |
| BFCN-EDR9964/12 | 6515 MHz, BAND PASS FILTER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BF861B | 制造商:PHILIPS-SEMI 功能描述: |
| BF861B,215 | 功能描述:射频JFET晶体管 JFET N-CH 25V 10MA RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| BF861B,215-CUT TAPE | 制造商:NXP 功能描述:BF861 Series 25 V 6.5 mA 250 mW N-channel Junction FET - SOT-23 |
| BF861B,235 | 功能描述:射频JFET晶体管 N-Channel Single ’+/- 25V 15mA RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| BF861B215 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:RF JFET N CH 25V 15MA 3-SO 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:JET N CH 25V SOT-23 |
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