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参数资料
| 型号： | BF861AT/R |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 7/13页 |
| 文件大小： | 73K |
| 代理商： | BF861AT/R |
9397 750 13395
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 04 — 24 September 2004
3 of 13
Philips Semiconductors
BF861A; BF861B; BF861C
N-channel junction FETs
[1]
Device mounted on an FR4 printed-circuit board.
6.
Thermal characteristics
[1]
Device mounted on an FR4 printed-circuit board.
7.
Characteristics
Ptot
total power dissipation
up to Tamb =25 °C
[1] -
250
mW
Tstg
storage temperature
65
+150
°C
Tj
operating junction
temperature
-
150
°C
Fig 1.
Power derating curve.
Table 5:
Limiting values …continued
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
Tamb (°C)
0
150
100
50
mrc166
100
200
300
Ptot
(mW)
0
Table 6:
Thermal characteristics
Symbol
Parameter
Conditions
Typ
Unit
Rth(j-a)
thermal resistance from junction
to ambient
[1] 500
K/W
Table 7:
Characteristics
Tj =25 °C; VDS =8V; VGS = 0 V unless otherwise specied.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
V(BR)GSS
gate-source
breakdown voltage
IG = 1 A
25
--V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BF861C-T | 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB |
| BF988B | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-50 |
| BFCN-7500+ | 7500 MHz, CERAMIC BPF |
| BFCN-ED13661/10 | 8350 MHz, BAND PASS FILTER |
| BFCN-EDR9964/12 | 6515 MHz, BAND PASS FILTER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BF861B | 制造商:PHILIPS-SEMI 功能描述: |
| BF861B,215 | 功能描述:射频JFET晶体管 JFET N-CH 25V 10MA RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| BF861B,215-CUT TAPE | 制造商:NXP 功能描述:BF861 Series 25 V 6.5 mA 250 mW N-channel Junction FET - SOT-23 |
| BF861B,235 | 功能描述:射频JFET晶体管 N-Channel Single ’+/- 25V 15mA RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| BF861B215 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:RF JFET N CH 25V 15MA 3-SO 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:JET N CH 25V SOT-23 |
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