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参数资料
| 型号： | BFL4026 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 900V 3.5A TO-220FI |
| 标准包装： | 100 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 900V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.6 欧姆 @ 2.5A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 33nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 650pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220FI（LS） |
| 包装： | 散装 |
BFL4026
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
min
Ratings
typ
max
Unit
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Zero-Gate Voltage Drain Current
Gate-to-Source Leakage Current
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
ID=10mA, VGS=0V
VDS= 720 V, VGS=0V
VGS=±30V, VDS=0V
900
1.0
±100
V
m A
nA
Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
VGS(off)
| yfs |
VDS=10V, ID=1mA
VDS=20V, ID= 2.5 A
2.0
1.4
2.8
4.0
V
S
Static Drain-to-Source On-State Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
RDS(on)
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
trr
Qrr
ID= 2.5 A, VGS=10V
VDS=30V, f=1MHz
See Fig.2
VDS=200V, VGS=10V, ID=5A
IS=5A, VGS=0V
See Fig.3
IS=5A, VGS=0V, di/dt=100A/ μ s
2.8
650
100
35
14
37
117
39
33
5.3
16.5
0.85
720
4700
3.6
1.2
Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
nC
Fig.1 Avalanche Resistance Test Circuit
Fig.2 Switching Time Test Circuit
≥ 50 Ω
RG
G
D
L
10V
0V
VIN
VIN
VDD=200V
ID=2.5A
RL=80 Ω
10V
0V
50 Ω
S
BFL4026
VDD
PW=10 μ s
D.C. ≤ 0.5%
G
D
VOUT
BFL4026
Fig.3 Reverse Recovery Time Test Circuit
D
BFL4026
500 μ H
G
S
VDD=50V
Driver MOSFET
Ordering Information
P.G
RGS=50 Ω
S
BFL4026-1E
Device
Package
TO-220F-3FS
Shipping
50pcs./magazine
memo
Pb Free
No. A1797-2/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFL4036 | MOSFET N-CH 500V 9.6A TO-220FI |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BFL4026_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| BFL4026-1E | 功能描述:MOSFET NCH 10V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BFL4036 | 功能描述:MOSFET NCH 10V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BFL4036-1E | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NCH 10V DRIVE SERIES - Ammo Pack |
| BFL4037 | 功能描述:MOSFET POWER MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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