参数资料
型号: BFL4026
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 3/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 900V 3.5A TO-220FI
标准包装: 100
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 900V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 3.6 欧姆 @ 2.5A,10V
闸电荷(Qg) @ Vgs: 33nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 650pF @ 30V
功率 - 最大: 2W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商设备封装: TO-220FI(LS)
包装: 散装
BFL4026
10
9
8
7
6
5
ID -- VDS
Tc=25°C
15V
10V
7V
6V
8
7
6
5
4
ID -- VGS
VDS=20V
Tc= --25 ° C
25 ° C
75 ° C
4
3
3
2
2
1
5V
1
0
0
5
10
15
20
25
30
35
VGS=4V
40 45
50
0
0
2
4
6
8
10
12
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
9
8
7
6
RDS(on) -- VGS
IT15761
ID=2.5A
Single pulse
10
9
8
7
RDS(on) -- Tc
IT15762
Single pulse
=1
0V
5
4
3
Tc=75°C
25°C
6
5
4
3
VG
S
=2
, ID
.5A
2
1
--25°C
2
1
0
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
0
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
° C
-25
=-
Tc
° C
7
5
3
2
1.0
7
5
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
| y fs | -- ID
VDS=20V
25
° C
75
IT15763
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
VGS=0V
Single pulse
Case Temperature, Tc -- ° C
IS -- VSD
IT15764
3
2
0.1
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
3
0.01
2
3
5 7 0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
0.01
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
7
5
3
2
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
td (off)
IT15765
VDD=200V
VGS=10V
5
3
2
1000
7
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
Ciss
IT15766
f=1MHz
5
100
3
7
5
3
tf
2
100
7
Cr
Co
ss
ss
2
10
tr
td(on)
5
3
2
7
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
5
7
10
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
Drain Current, ID -- A
IT15767
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT15768
No. A1797-3/7
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PDF描述
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参数描述
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BFL4026-1E 功能描述:MOSFET NCH 10V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BFL4036 功能描述:MOSFET NCH 10V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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