参数资料
型号: BFL4026
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 4/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 900V 3.5A TO-220FI
标准包装: 100
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 900V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 3.6 欧姆 @ 2.5A,10V
闸电荷(Qg) @ Vgs: 33nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 650pF @ 30V
功率 - 最大: 2W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商设备封装: TO-220FI(LS)
包装: 散装
BFL4026
10
VGS -- Qg
2
ASO
9
8
7
VDS=200V
ID=5A
10
7
5
3
2
IDP=10A (PW≤10μs)
IDc(*1)=5A
IDpack(*2)=3.5A
1m
s
6
5
1.0
7
5
3
4
3
2
2
0.1
7
5
Operation in
this area is
limited by RDS(on).
1
3
2
Tc=25 ° C
* 1. Shows chip capability
Single pulse
0.1
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.01
2 3 5 7 1.0
* 2. Our ideal heat dissipation condition
2 3 5 7 10 2 3 5 7 100 2 3 5 7 1000 2
2.5
Total Gate Charge, Qg -- nC
PD -- Ta
IT15769
40
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
PD -- Tc
IT15770
35
2.0
30
1.5
1.0
25
20
15
10
0.5
5
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
120
Ambient Temperature, Ta -- ° C
EAS -- Ta
IT15771
Case Temperature, Tc -- ° C
IT15772
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT10478
No. A1797-4/7
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