参数资料
型号: BFL4037
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 3/6页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 500V 11A TO-220FI
标准包装: 100
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 16A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 430 毫欧 @ 8A,10V
闸电荷(Qg) @ Vgs: 48.6nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1200pF @ 30V
功率 - 最大: 2W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商设备封装: TO-220FI(LS)
包装: 散装
BFL4037
45
ID -- VDS
45
ID -- VGS
40
35
Tc=25°C
15V
10V
40
35
VDS=20V
Tc= --25°C
25°C
30
25
20
15
10
5
8V
6V
VGS=5V
30
25
20
15
10
5
75°C
0
0
5
10
15
20
25
30
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
1.2
Drain to Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
IT11732
1.0
Gate to Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Tc
IT11733
1.0
0.8
ID=8A
0.9
0.8
0.7
=1
0.6
Tc=75°C
0.6
0.5
0.4
=8
ID
A
, VG
S
0V
0.4
0.2
25°C
--25°C
0.3
0.2
0.1
0
3
5
7
9
11
13
15
0
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
Gate to Source Voltage, VGS -- V
3
2
| y fs | -- ID
IT11734
VDS=10V
5
3
2
Case Temperature, Tc -- ° C
IS -- VSD
IT11735
VGS=0V
Tc
° C
10
7
5
3
=
--2
2 5 ° C
5 ° C
75
10
7
5
3
2
1.0
7
5
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
3
0.1
2
3
5
7 1.0
2
3
5
7 10
2
3
5
0.01
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1000
7
5
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT11736
VDD=200V
VGS=10V
10000
7
5
3
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT11737
f=1MHz
3
2
Ciss
2
td (off)
1000
7
5
100
7
5
3
tr
td(on)
tf
3
2
100
7
5
C o ss
Crss
2
3
2
10
0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
2
3
5
7
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
Drain Current, ID -- A
IT11738
Drain to Source Voltage, VDS -- V
IT11739
No. A1831-3/6
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PDF描述
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