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参数资料
| 型号： | BFL4037 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 11A TO-220FI |
| 标准包装： | 100 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 430 毫欧 @ 8A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 48.6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1200pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220FI（LS） |
| 包装： | 散装 |
BFL4037
10
VGS -- Qg
2
ASO
μ s
0 μ
1m
ms
0m
era
t i o
9
8
7
6
5
4
3
2
VDS=200V
ID=16A
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
IDP=60A (PW ≤ 10 μ s)
IDc(*1)=16A
Operation in this area
is limited by RDS(on).
IDpack(*2)=11A
DC
10
op
10
s
10
s
n
10
s
2 Tc=25 ° C
Single pulse
1.0
1
0
0
10
20
30
40
50
3
0.01
2 3 5
* 1. Shows chip capability
* 2. Our ideal heat dissipation condition
7 10 2 3 5 7 100 2 3
5
7
2.5
Total Gate Charge, Qg -- nC
PD -- Ta
IT11740
45
Drain to Source Voltage, VDS -- V
PD -- Tc
IT17060
40
2.0
1.5
1.0
0.5
35
30
25
20
15
10
5
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
120
Ambient Temperature, Ta -- ° C
EAS -- Ta
IT11730
Case Temperature, Tc -- ° C
IT11742
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT10478
No. A1831-4/6
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PDF描述 |
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参数描述 |
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