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参数资料
| 型号： | BFR540 |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | NPN 9 GHz wideband transistor |
| 封装： | BFR540<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BFR540<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,; |
| 文件页数： | 2/14页 |
| 文件大小： | 147K |
| 代理商： | BFR540 |
BFR540
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 6 — 13 September 2011
2 of 14
NXP Semiconductors
BFR540
NPN 9 GHz wideband transistor
[1]
T
sp
is the temperature at the soldering point of the collector tab.
2. Pinning information
Table 2.
Pin
1
2
3
3. Ordering information
Table 3.
Type number
4. Marking
Table 4.
Type number
BFR540
[1]
* = p: Made in Hong Kong
* = t: Made in Malaysia
* = W: Made in China.
s
21
2
insertion power gain
I
C
= 40 mA; V
CE
= 8 V;
T
amb
= 25
C;
f = 900 MHz
s
=
opt
; V
CE
= 8 V;
T
amb
= 25
C
I
C
= 10 mA;
f = 900 MHz
I
C
= 40 mA;
f = 900 MHz
I
C
= 10 mA;
f = 2 GHz
12
13
-
dB
NF
noise figure
-
1.3
1.8
dB
-
1.9
2.4
dB
-
2.1
-
dB
Table 1.
Symbol
Quick reference data
…continued
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Pinning
Description
base
emitter
collector
Simplified outline
Symbol
1
2
3
sym021
3
2
1
Ordering information
Package
Name
-
Description
plastic surface mounted package; 3 leads
Version
SOT23
BFR540
Marking
Marking code
[1]
33*
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFR540 | NPN 9 GHz wideband transistor |
| BFR540 | NPN 9 GHz wideband transistor |
| BFR540 | NPN 9 GHz wideband transistor |
| BFR540 | NPN 9 GHz wideband transistor |
| BFR92AW | NPN 5 GHz wideband transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BFR540 T/R | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 15V 0.12A 3-Pin TO-236AB T/R |
| BFR540,215 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN 120MA 15V 9GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| BFR540,235 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 Single NPN 15V 120mA 500mW 100 9GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| BFR540 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN RF SOT-23 |
| BFR540/T1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR UHF BIPOLAR BREITBAND |
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