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参数资料
| 型号： | BFR93AW |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | NPN 5 GHz wideband transistor |
| 封装： | BFR93AW<SOT323 (SC-70)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT323.html<1<week 30, 2003,;BFR93AW<SOT323 (SC-70)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT323.html<1<week 30, 2003,; |
| 文件页数： | 2/14页 |
| 文件大小： | 254K |
| 代理商： | BFR93AW |
1995 Sep 18
2
NXP Semiconductors
Product specification
NPN 5 GHz wideband transistor
BFR93AW
FEATURES
High power gain
Gold metallization ensures
excellent reliability
SOT323 (S-mini) package.
APPLICATIONS
It is designed for use in RF amplifiers,
mixers and oscillators with signal
frequencies up to 1 GHz.
DESCRIPTION
Silicon NPN transistor encapsulated
in a plastic SOT323 (S-mini) package.
The BFR93AW uses the same crystal
as the SOT23 version, BFR93A.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
base
emitter
collector
Marking code
: R2.
Fig.1 SOT323
handbook, 2 columns
3
1
2
MBC870
Top view
QUICK REFERENCE DATA
Note
1.
T
s
is the temperature at the soldering point of the collector pin.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CEO
I
C
P
tot
h
FE
C
re
collector-base voltage
collector-emitter voltage
collector current (DC)
total power dissipation
DC current gain
feedback capacitance
open emitter
open base
40
90
0.6
15
12
35
300
V
V
mA
mW
up to T
s
= 93
C; note 1
I
C
= 30 mA; V
CE
= 5 V
I
C
= 0; V
CE
= 5 V; f = 1 MHz;
T
amb
= 25
C
I
C
= 30 mA; V
CE
= 5 V; f = 500 MHz
I
C
= 30 mA; V
CE
= 8 V; f = 1 GHz;
T
amb
= 25
C
I
C
= 30 mA; V
CE
= 8 V; f = 2 GHz;
T
amb
= 25
C
I
C
= 5 mA; V
CE
= 8 V; f = 1 GHz;
s
=
opt
pF
f
T
G
UM
transition frequency
maximum unilateral power
gain
4
5
13
GHz
dB
8
dB
F
noise figure
1.5
dB
T
j
junction temperature
150
C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFR93AW | NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFR93A | NPN 6 GHz wideband transistor |
| BFR93A | NPN 6 GHz wideband transistor |
| BFR93A | NPN 6 GHz wideband transistor |
| BFR94AW | NPN 5 GHz wideband transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BFR93AW T/R | 功能描述:射频双极小信号晶体管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| BFR93AW,115 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| BFR93AW,135 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 Single NPN 12V 35mA 300mW 40 5GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| BFR93AW | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:TRANSISTOR NPN RF SOT-323 |
| BFR93AW115 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
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