参数资料
型号: BFR93AW
厂商: NXP Semiconductors N.V.
元件分类: 功率晶体管
英文描述: NPN 5 GHz wideband transistor
封装: BFR93AW<SOT323 (SC-70)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT323.html<1<week 30, 2003,;BFR93AW<SOT323 (SC-70)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT323.html<1<week 30, 2003,;
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代理商: BFR93AW
1995 Sep 18
9
NXP Semiconductors
Product specification
NPN 5 GHz wideband transistor
BFR93AW
Fig.15 Common emitter input reflection coefficient (s
11
); typical values.
V
CE
= 8 V; I
C
= 30 mA; Z
o
= 50
.
handbook, full pagewidth
MGC878
0
0
o
0.2
0.6
0.4
0.8
1.0
1.0
45
o
90
o
135
o
45
o
90
o
135
o
1
0.5
0.2
0.5
1
2
5
2
0.2
2
5
5
o
180
0.2
1
0
0.5
40 MHz
3 GHz
V
CE
= 8 V; I
C
= 30 mA.
Fig.16 Common emitter forward transmission coefficient (s
21
); typical values.
handbook, full pagewidth
MGC898
0
o
90
o
135
o
180
o
90
o
50
40
30
20
10
45
o
135
o
45
o
40 MHz
3 GHz
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BFR93AW,115 功能描述:射频双极小信号晶体管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
BFR93AW,135 功能描述:射频双极小信号晶体管 Single NPN 12V 35mA 300mW 40 5GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
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