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参数资料
| 型号： | BFR93AW |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | NPN 5 GHz wideband transistor |
| 封装： | BFR93AW<SOT323 (SC-70)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT323.html<1<week 30, 2003,;BFR93AW<SOT323 (SC-70)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT323.html<1<week 30, 2003,; |
| 文件页数： | 4/14页 |
| 文件大小： | 254K |
| 代理商： | BFR93AW |
1995 Sep 18
4
NXP Semiconductors
Product specification
NPN 5 GHz wideband transistor
BFR93AW
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
C (unless otherwise specified).
Note
1.
G
UM
is the maximum unilateral power gain, assuming s
12
is zero and
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
I
CBO
h
FE
C
c
C
e
collector leakage current
DC current gain
collector capacitance
emitter capacitance
I
E
= 0; V
CB
= 5 V
I
C
= 30 mA; V
CE
= 5 V
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 5 V; f = 1 MHz
I
C
= i
c
= 0; V
EB
= 0.5 V;
f = 1 MHz
I
C
= 0; V
CE
= 5 V; f = 1 MHz
I
C
= 30 mA; V
CE
= 5 V;
f = 500 MHz
I
C
= 30 mA; V
CE
= 8 V;
f = 1 GHz; T
amb
= 25
C
I
C
= 30 mA; V
CE
= 8 V;
f = 2 GHz; T
amb
= 25
C
I
C
= 5 mA; V
CE
= 8 V;
f = 1 GHz;
s
=
opt
I
C
= 5 mA; V
CE
= 8 V;
f = 2 GHz;
s
=
opt
40
90
0.7
2.3
50
nA
pF
pF
C
re
f
T
feedback capacitance
transition frequency
4
0.6
5
pF
GHz
G
UM
maximum unilateral power
gain; note 1
13
dB
8
dB
F
noise figure
1.5
dB
2.1
dB
G
UM
10
s
1
1
s
112
–
s
222
–
-------------------------------------------------------- dB.
log
=
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFR93AW | NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFR93A | NPN 6 GHz wideband transistor |
| BFR93A | NPN 6 GHz wideband transistor |
| BFR93A | NPN 6 GHz wideband transistor |
| BFR94AW | NPN 5 GHz wideband transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BFR93AW T/R | 功能描述:射频双极小信号晶体管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| BFR93AW,115 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| BFR93AW,135 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 Single NPN 12V 35mA 300mW 40 5GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| BFR93AW | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:TRANSISTOR NPN RF SOT-323 |
| BFR93AW115 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
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