参数资料
型号: BLC6G22LS-75,112
厂商: NXP Semiconductors
文件页数: 1/4页
文件大小: 121K
描述: FET RF LDMOS 28V 690MA SOT896B
标准包装: 20
晶体管类型: LDMOS
频率: 2.11GHz ~ 2.17GHz
增益: 18.5dB
电压 - 测试: 28V
额定电流: 18A
电流 - 测试: 690mA
功率 - 输出: 17W
电压 - 额定: 65V
封装/外壳: SOT896B
供应商设备封装: SOT896B,DFM2
包装: 管件
Basestation product portfolio
1-GHz ?
nals and drivers
Product Package Matching Mode of operation Frequency
band
(min - max)
Output
power
Power
gain
Ef?
ciency Intermodulation
distortion
(IM3)
Adjacent
channel
leakage
ratio
(ACLR)
Adjacent
channel
power ratio
@400kHz
(ACPR400)
Adjacent
channel
power ratio
@ 600 kHz
(ACPR600)
Error vector
magnitude
(EVM)
Thermal
resistance
(Rth)
(I/O) (MHz) (W) (dB) (%) (dBc) (dBc) (dBc) (dBc) (%) (K/W)
Finals
BLF6G10LS-200R SOT502B I/O 2C W-CDMA 869 - 894 40 20 27 - -40 - - - 0.35
BLF6G10LS-160 SOT502B I 2C W-CDMA 800 - 1000 32 22 27 - -42 - - - 0.42
BLC6G10LS-160 SOT896B I 2C W-CDMA 800 - 1000 32 22.5 27 - -42 - - - 0.42
BLC6G10-160 SOT895A I 2C W-CDMA 800 - 1000 32 22.5 27 - -42 - - - 0.61
BLF6G10LS-135R SOT502B I/O 2C W-CDMA 869 - 894 26 21 28.5 - -40 - - - 0.56
Drivers
BLF6G10S-45 SOT608B I/O
CW
2C W-CDMA
800 - 1000
45
1
23.5
23
60
8
- -50 - - - 1.70
BLF6G10-45 SOT608A I/O
CW
2C W-CDMA
800 - 1000
45
1
23.5
22.5
60
7.8
- -50 - - - 1.70
BLF6G21-15 SOT538A - CW 800 - 4000 10 TBD 10 -45 -48 - - - TBD
BLF3G21-30 SOT467C -
2-Tone
PHS class A
HF - 2200
30
9
13.5
16
35
20
-26 - - -75 - 1.60
BLF3G21-6 SOT538A -
2-Tone
PHS class A
HF - 2200
6
2
13.5
16
35
20
-23 - - -75 - 10
BLF1046 SOT467C - CW HF - 1000 50 16 60 - - - - - 1.87
BLF1822-10 SOT467C - CW HF - 2200 12 13 40 - - - - - 5
BLF1043 SOT538A - CW HF - 1000 10 18.5 55 - - - - - 9
BGF802-20 SOT365C -
CW
CDMA
869 - 894
25
3
30
50
18
- -69 - - - -
BGF844 SOT365C -
CW
EDGE
869 - 894
23
2.5
30
50
16
- - -65 - 0.4 -
BGF944 SOT365C -
CW
EDGE
920 - 960
17
2.5
30
50
16
- - -65 - 0.4 -
11047 LC Base Station 2008_v5.indd 1047
LC
Base
Station
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参数描述
BLC6G27-100,112 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
BLC6G27-100,118 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
BLC6G27LS-100,112 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 Single RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
BLC6G27LS-100,118 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 Single RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
BLC6TA45SL12C6 制造商:AVIBANK 功能描述: