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参数资料
| 型号： | BLC6G22LS-75,112 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 121K |
| 描述： | FET RF LDMOS 28V 690MA SOT896B |
| 标准包装： | 20 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.11GHz ~ 2.17GHz |
| 增益： | 18.5dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 18A |
| 电流 - 测试： | 690mA |
| 功率 - 输出： | 17W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | SOT896B |
| 供应商设备封装： | SOT896B，DFM2 |
| 包装： | 管件 |
Basestation product portfolio
2-GHz ?
nals and drivers
Product Package Matching Mode of operation Frequency
band
(min - max)
Output
power
Power
gain
Ef?
ciency Intermodulation
distortion
(IM3)
Adjacent
channel
leakage
ratio
(ACLR)
Adjacent
channel
power ratio
@400kHz
(ACPR400)
Adjacent
channel
power ratio
@ 600 kHz
(ACPR600)
Error vector
magnitude
(EVM)
Thermal
resistance
(Rth)
(I/O) (MHz) (W) (dB) (%) (dBc) (dBc) (dBc) (dBc) (%) (K/W)
Finals
BLF6G20-180PN SOT539A I/O 2C W-CDMA 1800 - 2000 50 18 29.5 -35 - - - - 0.45
BLF6G20LS-180R SOT502B I/O 2C W-CDMA 1800 - 2000 40 17 27 -41 -37 - - - 0.35
BLF6G20-180R SOT502A I/O 2C W-CDMA 1800 - 2000 40 17 27 -41 -37 - - - TBD
BLF6G20LS-140 SOT896B I/O 2C W-CDMA 1800 - 2000 35.5 16.5 30 -37 -40 - - - 0.49
BLF6G20LS-110 SOT502B I/O 2C W-CDMA 1800 - 2000 25 18 31 -37 -40 - - - 0.45
BLF6G20-110 SOT502A I/O 2C W-CDMA 1800 - 2000 25 19 31 -37 -40 - - - 0.52
BLC6G20LS-110 SOT896B I/O 2C W-CDMA 1800 - 2000 25 19 32 -37 -40 - - - 0.45
BLC6G20-110 SOT895A I/O 2C W-CDMA 1800 - 2000 25 18 32 -37 -40 - - - TBD
BLF6G20LS-75 SOT502B I/O
CW
EDGE
1800 - 2000
63
29.5
19
19
52
37.5
- - -61.5 -73 1.7 0.75
BLF6G20-75 SOT502A I/O
CW
EDGE
1800 - 2000
63
29.5
19
19
52
37.5
- - -61.5 -73 1.7 TBD
BLC6G20LS-75 SOT896B I/O
CW
EDGE
1800 - 2000
63
29.5
19
19
57
40
- - -61.5 -72 0.9 0.75
BLC6G20-75 SOT895A I/O
CW
EDGE
1800 - 2000
63
29.5
19
19
57
40
- - -61.5 -72 1.7 0.90
Drivers
BLF6G20S-45 SOT608B I/O 2C W-CDMA 1800 - 2000 2.5 19.2 14 - -50 - - - 1.70
BLF6G20-45 SOT608A I/O 2C W-CDMA 1800 - 2000 2.5 19.2 14 - -50 - - - 1.70
BLF6G21-10 SOT538A - CW 800 - 4000 10 TBD 10 -45 -48 - - - TBD
BLF3G21-30 SOT467C -
2-Tone
PHS class A
HF - 2200
30
9
13.5
16
35
20
-26 - - -75 - 1.60
BLF3G21-6 SOT538A -
2-Tone
PHS class A
HF - 2200
6
2
13.5
16
35
20
-23 - - -75 - 10
BLF2045 SOT467C - CW 1800 - 2200 30 11 30 - - - - - 2.10
BLF1822-10 SOT467C - CW HF - 2200 12 13 40 - - - - - 5
BLF2043 SOT538A - CW HF - 2200 12 12 40 - - - - - 9
BLF2043F SOT467C - CW HF - 2200 10 12 30 - - - - - 5
BGF1801-10 SOT365C -
CW
EDGE
1805 - 1880
10
3.5
26
35
20
- - -63 - 1.2 -
11047 LC Base Station 2008_v5.indd 2047
LC
Base
Station
2008_v5.indd
2
29-05-2008 10:03:0329-05-2008
10:03:03
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| BLC6G27-100,112 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| BLC6G27-100,118 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| BLC6G27LS-100,112 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 Single RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| BLC6G27LS-100,118 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 Single RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| BLC6TA45SL12C6 | 制造商:AVIBANK 功能描述: |
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