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参数资料
| 型号： | BLC6G22LS-75,112 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 121K |
| 描述： | FET RF LDMOS 28V 690MA SOT896B |
| 标准包装： | 20 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.11GHz ~ 2.17GHz |
| 增益： | 18.5dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 18A |
| 电流 - 测试： | 690mA |
| 功率 - 输出： | 17W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | SOT896B |
| 供应商设备封装： | SOT896B，DFM2 |
| 包装： | 管件 |
www.nxp.com
? 2008 NXP B.V.
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Date of release: May 2008
Document order number: 9397 750 16521
Printed in the Netherlands
Packages
SOT502A SOT502B SOT896B SOT895A SOT608A SOT608B
SOT467C SOT538A SOT365C SOT539A SOT822-1 SOT834-1
11047 LC Base Station 2008_v5.indd 4047
LC
Base
Station
2008_v5.indd
4
229-05-2008 10:03:049-05-2008
10:03:04
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| BLC6G27-100,112 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| BLC6G27-100,118 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| BLC6G27LS-100,112 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 Single RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| BLC6G27LS-100,118 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 Single RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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