参数资料
| 型号： | BR24L32FJ-WE2 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 29/41页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 32KBIT 400KHZ 8SOP |
| 标准包装： | 1 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 32K (4K x 8) |
| 速度： | 400kHz |
| 接口： | I²C，2 线串口 |
| 电源电压： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP-J |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1379 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | BR24L32FJ-WE2DKR |
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BR24L □□ -W Series,BR24S □□□ -W Series
○ Notes on write cycle continuous input
At STOP (stop bit)
write starts.
Technical Note
S
T
A
R
T
SLAVE
ADDRESS
W
R
I
T
E
WORD
ADDRESS（ｎ）
DATA(n)
DATA(n+15)
S
T
O
P
S
T
A
R
T
SDA
LINE
1 0 1 0 P2 P1 P0
R A
/ C
note)
W K
WA
7
WA
0
A
C
K
D7
D0
A
C
K
D0
A
C
K
1 0 1 0
Next command
tWR(maximum ： 5ms)
Command is not accepted for this
Fig.38
Page write cycle(BR24S08/16-W)
A t S TO P (stop bit)
w rite starts.
period.
SDA
L IN E
S
T
A
R
T
SLAVE
ADDRESS
W
R
I
T
E
1 st W O R D
A D D R E S S (n )
2nd W ORD
A D D R E S S (n )
D A T A (n )
*2
D A TA (n+ 31 )
S
T
O
P
S
T
A
R
T
*1
As for WA12, BR24S32-W becomes Don't care.
As for WA13, BR24S32/64-W becomes Don't care.
As for WA14, BR24S32/64/128-W becomes Don't care.
1 0 1 0 A 2 A 1 A 0
note )
R A
/ C
＊
W A W A W A W A
14 13 12 11
*1
A
C
WA
0
A
C
D7
D0
A
C
D0
A
C
1 0 1 0
N e xt co m m a n d
*2 As for BR24S128/256-W becomes (n+63).
W K
K
K
K
K
tW R (ma ximu m : 5 m s)
C o m m an d is n ot a ccep te d for
th is period .
Fig.39
Page write cycle(BR24S32/64/128/256-W)
○ Notes on page write cycle
List of numbers of page write
Number of pages
Product number
16Byte
BR24S08-W
BR24S16-W
32Byte
BR24S32-W
BR24S64-W
64Byte
BR24S128-W
BR24S256-W
The above numbers are maximum bytes for respective types. Any bytes below these can be written.
In the case of BR24S256-W, 1 page = 64bytes, but the page write cycle write time is 5ms at maximum for 64byte bulk write.
It does not stand 5ms at maximum ×
64byte = 320ms(Max.).
www.rohm.com
? 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2009.09 - Rev.D
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