参数资料
| 型号： | BR24S08FVT-WE2 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 11/41页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 8KBIT 400KHZ 8TSSOP |
| 标准包装： | 1 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 8K (1K x 8) |
| 速度： | 400kHz |
| 接口： | I²C，2 线串口 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP-B |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1379 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | BR24S08FVT-WE2DKR |
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BR24L □□ -W Series,BR24S □□□ -W Series
○ Notes on write cycle continuous input
At STOP (stop bit),
write starts.
Technical Note
DATA(n+7) *3
S
T
A
R
T
SLAVE
ADDRESS
W
R
I
T
E
WORD
ADDRESS（ｎ）
DATA(n)
*2
S
T
O
P
S
T
A
R
T
SDA
LINE
1 0 1 0 A2 A1 A0
Note)
R A
/ C
W K
*1
WA
7
WA
0
A
C
K
D7
D0
A
C
K
D0
A
C
K
1 0 1 0
Next command
tWR(maximum : 5ms)
Command is not accepted for this period.
*1 BR24L01A-W becomes Don’t care.
*2 BR24L04-W, BR24L08-W, and BR24L16-W become (n+15).
*3 BR24L32-W and BR24L64-W become (n+31).
Fig.41 Page write cycle
Note)
*1 *2 *3
1 0 1 0 A 2 A 1 A 0
*1 In BR24L16-W, A2 becomes P2.
*2 In BR24L08-W, BR24L16-W, A1 becomes P1.
*3 In BR24L04-W, A0 becomes PS, and in BR24L08-W and in BR24L16-W, A0 becomes P0.
Fig.42 Difference of each type of slave address
○ Notes on page write cycle
List of numbers of page write
Number of Pages
Product
number
8Byte
BR24L01A-W
BR24L02-W
16Byte
BR24L04-W
BR24L08-W
BR24L16-W
32Byte
BR24L32-W
BR24L64-W
The above numbers are maximum bytes for respective types.
Any bytes below these can be written.
In the case BR24L02-W, 1 page=8bytes, but the page write cycle write time is 5ms at maximum for 8byte bulk write.
It does not stand 5ms at maximum × 8byte=40ms(Max.).
www.rohm.com
? 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2009.09 - Rev.D
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| BR24S08F-WTR | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:High Reliability Series EEPROMs I2C BUS |
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