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参数资料
| 型号： | BR24S16FVT-WE2 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 12/41页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 16KBIT 400KHZ 8TSSOP |
| 标准包装： | 1 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 16K (2K x 8) |
| 速度： | 400kHz |
| 接口： | I²C，2 线串口 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP-B |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1379 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | BR24S16FVT-WE2DKR |
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BR24L □□ -W Series,BR24S □□□ -W Series
○ Internal address increment
Page write mode (in the case of BR24L02-W)
Technical Note
WA7 -----
WA4
WA3
WA2
WA1
WA0
0 -----
0 -----
0 -----
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
1
0
Increment
06h
0
0
0
-----
-----
-----
0
0
0
0
0
0
1
1
0
1
1
0
0
1
0
Significant bit is fixed.
No digit up
For example, when it is started from address 06h,therefore, increment is made as below,
06h → 07h → 00h → 01h ---, which please note.
＊
06h ??? 06 in hexadecimal, therefore, 00000110 becomes a binary number.
○ Write protect (WP) terminal
? Write protect (WP) function
When WP terminal is set Vcc (H level), data rewrite of all addresses is prohibited. When it is set GND (L level), data
rewrite of all address is enabled. Be sure to connect this terminal to Vcc or GND, or control it to H level or L level.
Do not use it open.
At extremely low voltage at power ON / OFF, by setting the WP terminal 'H', mistake write can be prevented.
During tWR, set the WP terminal always to 'L'. If it is set 'H', write is forcibly terminated.
www.rohm.com
? 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2009.09 - Rev.D
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参数描述 |
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| BR24S16FV-WE2 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:EEPROM SERIAL-I2C 16K-BIT 2K X 8 2.5V/3.3V/5V 8-PIN SSOP-B T - Tape and Reel 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:EEPROM Serial-I2C 16K-bit 2K x 8 2.5V/3.3V/5V 8-Pin SSOP-B T/R Cut Tape 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:IC EEPROM 16KBIT 400KHZ 8SSOP 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:I2C 16K BIT 2K X 8 2.5V/3.3V/5V 8PIN |
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| BR24S16F-WTR | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:High Reliability Series EEPROMs I2C BUS |
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