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参数资料
| 型号： | BR24S16FVT-WE2 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 21/41页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 16KBIT 400KHZ 8TSSOP |
| 标准包装： | 1 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 16K (2K x 8) |
| 速度： | 400kHz |
| 接口： | I²C，2 线串口 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP-B |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1379 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | BR24S16FVT-WE2DKR |
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BR24L □□ -W Series,BR24S □□□ -W Series
● Absolute maximum ratings (Ta=25 ℃ )
Technical Note
Parameter
Impressed voltage
symbol
V CC
Limits
-0.3 ～ +6.5
Unit
V
450 (SOP8) *1
450 (SOP-J8) *2
300 (SSOP-B8) *3
Permissible dissipation
Pd
330 (TSSOP-B8) *4
*5
310 (MSOP8)
mW
310 (TSSOP-B8J) *6
300 (VSON008X2030) *7
Storage temperature range
Action temperature range
Terminal voltage
Tstg
Topr
-
-65 ～ +125
-40 ～ +85
-0.3 ～ Vcc+1.0
℃
℃
V
*When using at Ta=25 ℃ or higher, 4.5mW(*1,*2), 3.0mW(*3,*7) 3.3mW(*4),3.1mW(*5,*6) to be reduced per 1 ℃
● Memory cell characteristics (Ta=25 ℃ , Vcc=1.7 ～ 5.5V)
Parameter
Number of data rewrite times *1
Min.
1,000,000
Limits
Typ.
-
Max.
-
Unit
Times
Data hold years
*1
40
-
-
Years
*1 Not 100% TESTED
● Recommended operating conditions
Parameter
Power source voltage
Input voltage
Symbol
Vcc
V IN
Limits
1.7 ～ 5.5
0 ～ Vcc
Unit
V
● Electrical characteristics
(Unless otherwise specified, T=-40 ～ +85 ℃ , Vcc=1.7 ～ 5.5V)
Parameter Symbol
Limits
Min Typ. Max.
Unit
Condition
"H" Input Voltage1
"L" Input Voltage1
VIH1
VIL1
0.7Vcc
-0.3
-
-
Vcc+1.0
0.3Vcc
V
V
"L" Output Voltage1
"L" Output Voltage2
Input Leakage Current
Output Leakage Current
Current consumption
at action
Standby Current
VOL1
VOL2
ILI
ILO
ICC1
ICC2
ISB
-
-
-1
-1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.4
0.2
1
1
2.0
2.5
0.5
2.0
V
V
μ A
μ A
mA
mA
μ A
IOL=3.0mA , 2.5V ≦ Vcc ≦ 5.5V (SDA)
IOL=0.7mA , 1.7V ≦ Vcc ≦ 2.5V (SDA)
VIN=0 ～ Vcc
VOUT=0 ～ Vcc (SDA)
Vcc=5.5V , fSCL =400kHz, tWR=5ms
Byte Write, Page Write BR24S08/16/32/64-W
Vcc=5.5V , fSCL =400kHz, tWR=5ms
Byte Write, Page Write BR24S128/256-W
Vcc=5.5V , fSCL =400kHz
Random read, Current read, Sequential read
Vcc=5.5V , SDA ? SCL=Vcc
A0, A1, A2=GND, WP=GND
○ Radiation resistance design is not made.
www.rohm.com
? 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2009.09 - Rev.D
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