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参数资料
| 型号： | BR25S640FJ-WE2 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 5/19页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM SPI 64KB 20MHZ 8-SOP |
| 标准包装： | 1 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 64K (8K x 8) |
| 速度： | 20MHz |
| 接口： | SPI 3 线串行 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP-J |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | BR25S640FJ-WE2DKR |
BR25S □□□ Series
● Characteristic data (The following characteristic data are Typ. Values.)
Technical Note
2.6
1.5
1.5
2.5
2.4
1
0.5
Ta=-40℃
Ta=25℃
SPEC
1
0.5
Ta=-40℃
Ta=25℃
SPEC
Ta=85℃
Ta=85℃
SPEC
Ta=-40℃
2.3
2.2
Ta=25℃
Ta=85℃
0
-0.5
0
-0.5
0
0.4
IOH[mA]
0.8
1.2
0
1
2
3
Vcc[V]
4
5
6
0
1
2
3
VOUT[V]
4
5
6
Fig.9 "H" output voltage VOH1 (Vcc=2.5V)
Fig.10 Input leak current ILI(CSB,SCK,SI,HOLDB,WPB)
Fig.11 Output leak current ILO(SO)
4
4
10
3
2
DATA=00h
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=85℃
SPEC
3
2
DATA=00h
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=85℃
SPEC
8
6
DATA=00h
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=85℃
SPEC
4
1
0
1
0
2
0
0
1
2
3 4 5 6
0
1
2
3
4
5
6
0
1
2
3
4
5
6
Vcc[V]
Fig.12 Current consumption at WRITE operation ICC3
(BR25S320/640-W)
5
Vcc[V]
Fig.13 Current Consumption at WRITE operation ICC3
(BR25S128/256-W)
1000
Vcc[V]
Fig.14 Current Consumption at READ operation ICC10
140
4
3
2
1
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=85℃
SPEC
100
10
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=85℃
SPEC
SPEC
SPEC
120
100
80
60
40
SPEC
SPEC
SPEC
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=85℃
0
-1
1
SPEC
20
0
SPEC
0
1
2
3
Vcc[V]
4
5
6
0
1
2
3
Vcc[V]
4
5
6
0
1
2
3
Vcc[V]
4
5
6
Fig.15 Current Consumption at standby operation ISB
140
300
Fig.16 SCK frequency fSCK
120
Fig.17 SCK high time tSCKWH
120
100
80
SPEC
SPEC
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=85℃
250
200
150
SPEC
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=85℃
100
80
60
SPEC
SPEC
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=85℃
60
40
20
SPEC
SPEC
100
50
SPEC
SPEC
SPEC
40
20
SPEC
SPEC
0
0
1
2
3
Vcc[V]
4
5
6
0
0
1
2
3
Vcc[V]
4
5
6
0
0
1
2
3
Vcc[V]
4
5
6
Fig.18 SCK low time tSCKWL
www.rohm.com
? 2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Fig.19 CSB high time tCS
5/18
Fig.20 CSB setup time tCSS
2010.12 - Rev.B
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