参数资料
型号: BR25S640FJ-WE2
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 5/19页
文件大小: 0K
描述: IC EEPROM SPI 64KB 20MHZ 8-SOP
标准包装: 1
格式 - 存储器: EEPROMs - 串行
存储器类型: EEPROM
存储容量: 64K (8K x 8)
速度: 20MHz
接口: SPI 3 线串行
电源电压: 1.7 V ~ 5.5 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOP-J
包装: 标准包装
其它名称: BR25S640FJ-WE2DKR
BR25S □□□ Series
● Characteristic data (The following characteristic data are Typ. Values.)
Technical Note
2.6
1.5
1.5
2.5
2.4
1
0.5
Ta=-40℃
Ta=25℃
SPEC
1
0.5
Ta=-40℃
Ta=25℃
SPEC
Ta=85℃
Ta=85℃
SPEC
Ta=-40℃
2.3
2.2
Ta=25℃
Ta=85℃
0
-0.5
0
-0.5
0
0.4
IOH[mA]
0.8
1.2
0
1
2
3
Vcc[V]
4
5
6
0
1
2
3
VOUT[V]
4
5
6
Fig.9   "H" output voltage   VOH1 (Vcc=2.5V)
Fig.10   Input leak current ILI(CSB,SCK,SI,HOLDB,WPB)
Fig.11   Output leak current ILO(SO)
4
4
10
3
2
DATA=00h
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=85℃
SPEC
3
2
DATA=00h
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=85℃
SPEC
8
6
DATA=00h
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=85℃
SPEC
4
1
0
1
0
2
0
0
1
2
3 4 5 6
0
1
2
3
4
5
6
0
1
2
3
4
5
6
Vcc[V]
Fig.12   Current consumption at WRITE operation ICC3
(BR25S320/640-W)
5
Vcc[V]
Fig.13   Current Consumption at WRITE operation ICC3
(BR25S128/256-W)
1000
Vcc[V]
Fig.14   Current Consumption at READ operation ICC10
140
4
3
2
1
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=85℃
SPEC
100
10
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=85℃
SPEC
SPEC
SPEC
120
100
80
60
40
SPEC
SPEC
SPEC
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=85℃
0
-1
1
SPEC
20
0
SPEC
0
1
2
3
Vcc[V]
4
5
6
0
1
2
3
Vcc[V]
4
5
6
0
1
2
3
Vcc[V]
4
5
6
Fig.15   Current Consumption at standby operation ISB
140
300
Fig.16   SCK frequency fSCK
120
Fig.17 SCK high time   tSCKWH
120
100
80
SPEC
SPEC
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=85℃
250
200
150
SPEC
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=85℃
100
80
60
SPEC
SPEC
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=85℃
60
40
20
SPEC
SPEC
100
50
SPEC
SPEC
SPEC
40
20
SPEC
SPEC
0
0
1
2
3
Vcc[V]
4
5
6
0
0
1
2
3
Vcc[V]
4
5
6
0
0
1
2
3
Vcc[V]
4
5
6
Fig.18 SCK low time   tSCKWL
www.rohm.com
? 2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Fig.19 CSB high time   tCS
5/18
Fig.20   CSB setup time   tCSS
2010.12 - Rev.B
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