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参数资料
| 型号： | BR93L76RFVJ-WE2 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/41页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 8KBIT 2MHZ 8TSSOP |
| 标准包装： | 1 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 8K (512 x 16) |
| 速度： | 2MHz |
| 接口： | Microwire 3 线串行 |
| 电源电压： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP-J |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1380 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | BR93L76RFVJ-WE2DKR |
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BR93L -W Series, 93A □□ -WM Series, BR93H □□ -WC Series
Technical Note
Serial EEPROM Series
High Reliability Series
EEPROMs Microwire BUS
BR93L -W Series, 93A □□ -WM Series
● Description
BR93L -W Series, BR93A □□ -WM Series are serial EEPROM of serial 3-line interface method
● Features
1) 3-line communications of chip select, serial clock, serial data input / output (the case where input and output are shared)
2) Actions available at high speed 2MHz clock(2.5~5.5V)
3) Speed write available (write time 5ms max. ）
4) Same package and pin layout from 1Kbit to 16Kbit
5) 1.8~5.5V (BR93L -W Series), 2.5 ～ 5.5V(BR93A □□ -WM Series) single power source action
6) Address auto increment function at read action
7) Write mistake prevention function
Write prohibition at power on
Write prohibition by command code
Write mistake prevention function at low voltage
8) Program cycle auto delete and auto end function
9) Program condition display by READY / BUSY
10) Low current consumption
At write action (at 5V) : 1.2mA (Typ.)
At read action (at 5V) : 0.3mA (Typ.)
At standby action (at 5V) : 0.1 μ A (Typ.)(CMOS input)
11) TTL compatible( input / output s )
12) Compact package SOP8/SOP-J8/SSOP-B8/TSSOP-B8/MSOP8/TSSOP-B8J *1
13) Data retention for 40 years
14) Endurance up to 1,000,000 times
15) Data at shipment all addresses FFFFh
*1 Only SOP8, SOP-J8, TSSOP-B8, MSOP8 for BR93A □□ -WM
● BR93L, BR93A Series
Package type
SOP8
SOP-J8
SSOP-B8
TSSOP-B8
MSOP8
TSSOP-B8J
Capacity
Bit format
Type
Power source
voltage
F
RF
FJ
RFJ
FV
RFV
FVT RFVT
RFVM
RFVJ
1Kbit
2Kbit
4Kbit
8Kbit
16Kbit
64 × 16
128 × 16
256 × 16
512 × 16
1K × 16
BR93L46-W
BR93L56-W
BR93L66-W
BR93L76-W
BR93L86-W
1.8 ～ 5.5V
1.8 ～ 5.5V
1.8 ～ 5.5V
1.8 ～ 5.5V
1.8 ～ 5.5V
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1Kbit
2Kbit
4Kbit
8Kbit
16Kbit
64 × 16
128 × 16
256 × 16
512 × 16
1K × 16
BR93A46-WM
BR93A56-WM
BR93A66-WM
BR93A76-WM
BR93A86-WM
2.5 ～ 5.5V
2.5 ～ 5.5V
2.5 ～ 5.5V
2.5 ～ 5.5V
2.5 ～ 5.5V
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www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2011.09 - Rev.G
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BS08D-112 | TRIGGER BILTRL SW 175MA TO-92 |
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| BU9829GUL-WE2 | IC EEPROM 16KBIT SPI 9VCSP |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BR93L76RFVM-W | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Microwire BUS 8Kbit(512 x 16bit) EEPROM |
| BR93L76RFVM-WE2 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:High Reliability Serial EEPROMs High Reliability Series |
| BR93L76RFVM-WTR | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 SRL 512X16 BIT RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| BR93L76RFVT-W | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Memory,EEPROM,8kb(X16),Microwire,TSSOP8 |
| BR93L76RFVT-WE2 | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 SRL 8K BIT RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
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