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参数资料
| 型号： | BS170_D74Z |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 2,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 500mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 欧姆 @ 200mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 40pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 830mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 供应商设备封装： | TO-92-3 |
| 包装： | 带盒（TB） |
March 2010
BS170 / MMBF170
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
General Description
Features
These N-Channel enhancement mode field effect
transistors are produced using Fairchild's proprietary, high
cell density, DMOS technology. These products have been
designed to minimize on-state resistance while provide
rugged, reliable, and fast switching performance. They can
be used in most applications requiring up to 500mA DC.
These products are particularly suited for low voltage, low
current applications such as small servo motor control,
power MOSFET gate drivers, and other switching
applications.
■
■
■
■
High density cell design for low R DS(ON) .
Voltage controlled small signal switch.
Rugged and reliable.
High saturation current capability.
BS170
MMBF170
D
S
D
G
S
TO-92
G
SOT-23
Absolute Maximum Ratings
T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V DSS
V DGR
V GSS
I D
T J , T STG
T L
Parameter
Drain-Source Voltage
Drain-Gate Voltage (R GS ≤ 1M Ω )
Gate-Source Voltage
Drain Current - Continuous
- Pulsed
Operating and Storage Temperature Range
Maximum Lead Temperature for Soldering
BS170
500
1200
MMBF170
60
60
± 20
500
800
- 55 to 150
300
Units
V
V
V
mA
° C
° C
Purposes, 1/16" from Case for 10 Seconds
Thermal Characteristics
T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
P D
R θ JA
Parameter
Maximum Power Dissipation
Derate above 25 ° C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
BS170
830
6.6
150
MMBF170
300
2.4
417
Units
mW
mW/ ° C
° C/W
? 2010 Fairchild Semiconductor Corporation
BS170 / MMBF170 Rev. E2
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 655H | INDUSTRIAL TOGGLE SWITCH |
| ABM3C-30.000MHZ-KVF-T | CRYSTAL 30.000 MHZ 18PF SMD |
| FRN91-16BB | SWITCH ROCKER SPST-NO 20A 12V |
| KD3270032 | OSCILLATOR 32.768KHZ 2.5V |
| 5120.5374.0 | 5120 APPLIANCE INLET FILTER 6A |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BS170-D75Z | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:500mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:40pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:830mW（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5 欧姆 @ 200mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-92-3 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 基本零件编号:BS170 标准包装:1 |
| BS170F | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N SOT-23 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N, SOT-23 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N CH, 60V, 150mA, SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:150mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes |
| BS170F | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N SOT-23 |
| BS170FTA | 功能描述:MOSFET N-Chnl 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BS170FTA-CUT TAPE | 制造商:DIODES 功能描述:BS170 Series 60 V 5 Ohm N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET- SOT-23 |
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