参数资料
型号: BS170_D74Z
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 10/14页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92
产品培训模块: High Voltage Switches for Power Processing
标准包装: 2,000
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 500mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 5 欧姆 @ 200mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 1mA
输入电容 (Ciss) @ Vds: 40pF @ 10V
功率 - 最大: 830mW
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
供应商设备封装: TO-92-3
包装: 带盒(TB)
Mechanical Dimensions ( TO-92 )
TO-92
Dimensions in Millimeters
? 2010 Fairchild Semiconductor Corporation
BS170 / MMBF170 Rev. E2
10
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
655H INDUSTRIAL TOGGLE SWITCH
ABM3C-30.000MHZ-KVF-T CRYSTAL 30.000 MHZ 18PF SMD
FRN91-16BB SWITCH ROCKER SPST-NO 20A 12V
KD3270032 OSCILLATOR 32.768KHZ 2.5V
5120.5374.0 5120 APPLIANCE INLET FILTER 6A
相关代理商/技术参数
参数描述
BS170-D75Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):500mA(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):40pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):830mW(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5 欧姆 @ 200mA,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-92-3 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 基本零件编号:BS170 标准包装:1
BS170F 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N SOT-23 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N, SOT-23 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N CH, 60V, 150mA, SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:150mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes
BS170F 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N SOT-23
BS170FTA 功能描述:MOSFET N-Chnl 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BS170FTA-CUT TAPE 制造商:DIODES 功能描述:BS170 Series 60 V 5 Ohm N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET- SOT-23