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参数资料
| 型号： | BS170_D74Z |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 12/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 2,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 500mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 欧姆 @ 200mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 40pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 830mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 供应商设备封装： | TO-92-3 |
| 包装： | 带盒（TB） |
SOT-23 Std Tape and Reel Data, continued
SOT23-3L Embossed Carrier Tape
Configuration: Figure 3.0
P0
P2
D0
D1
T
E1
F
E2
W
B0
Wc
Tc
P1
A0
K0
User Direction of Feed
Dimensions are in millimeter
Pkg type
SOT-23
(8mm)
A0
3.15
+/-0.10
B0
2.77
+/-0.10
W
8.0
+/-0.3
D0
1.55
+/-0.05
D1
1.125
+/-0.125
E1
1.75
+/-0.10
E2
6.25
min
F
3.50
+/-0.05
P1
4.0
+/-0.1
P0
4.0
+/-0.1
K0
1.30
+/-0.10
T
0.228
+/-0.013
Wc
5.2
+/-0.3
Tc
0.06
+/-0.02
Notes: A0, B0, and K0 dimensions are determined with respect to the EIA/Jedec RS-481
rotational and lateral movement requirements (see sketches A, B, and C).
20 deg maximum
Typical
component
0.5mm
maximum
B0
cavity
center line
0.5mm
maximum
20 deg maximum component rotation
Typical
Sketch A (Side or Front Sectional View)
Component Rotation
A0
component
center line
Sketch C (Top View)
Component lateral movement
SOT23-3L Reel Configuration: Figure 4.0
Sketch B (Top View)
Component Rotation
W1 Measured at Hub
Dim A
Max
Dim A
max
Dim N
See detail AA
7" Diameter Option
B Min
Dim C
See detail AA
W3
Dim D
min
13" Diameter Option
W2 max Measured at Hub
DETAIL AA
Dimensions are in inches and millimeters
Tape Size
8mm
8mm
Reel
Option
7" Dia
13" Dia
Dim A
7.00
177.8
13.00
330
Dim B
0.059
1.5
0.059
1.5
Dim C
512 +0.020/-0.008
13 +0.5/-0.2
512 +0.020/-0.008
13 +0.5/-0.2
Dim D
0.795
20.2
0.795
20.2
Dim N
2.165
55
4.00
100
Dim W1
0.331 +0.059/-0.000
8.4 +1.5/0
0.331 +0.059/-0.000
8.4 +1.5/0
Dim W2
0.567
14.4
0.567
14.4
Dim W3 (LSL-USL)
0.311 - 0.429
7.9 - 10. 9
0.311 - 0.429
7.9 - 10. 9
October 2004, Rev. D1
? 2010 Fairchild Semiconductor Corporation
BS170 / MMBF170 Rev. E2
12
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 655H | INDUSTRIAL TOGGLE SWITCH |
| ABM3C-30.000MHZ-KVF-T | CRYSTAL 30.000 MHZ 18PF SMD |
| FRN91-16BB | SWITCH ROCKER SPST-NO 20A 12V |
| KD3270032 | OSCILLATOR 32.768KHZ 2.5V |
| 5120.5374.0 | 5120 APPLIANCE INLET FILTER 6A |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BS170-D75Z | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:500mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:40pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:830mW（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5 欧姆 @ 200mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-92-3 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 基本零件编号:BS170 标准包装:1 |
| BS170F | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N SOT-23 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N, SOT-23 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N CH, 60V, 150mA, SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:150mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes |
| BS170F | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N SOT-23 |
| BS170FTA | 功能描述:MOSFET N-Chnl 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BS170FTA-CUT TAPE | 制造商:DIODES 功能描述:BS170 Series 60 V 5 Ohm N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET- SOT-23 |
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