型号: | BSO203P H |
厂商: | Infineon Technologies |
文件页数: | 1/5页 |
文件大小: | 0K |
描述: | MOSFET P-CH 20V 7A DSO-8 |
标准包装: | 1 |
系列: | OptiMOS™ |
FET 型: | 2 个 P 沟道(双) |
FET 特点: | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss): | 20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 7A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 21 毫欧 @ 8.2A,4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 1.2V @ 100µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 39nC @ 4.5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 3750pF @ 15V |
功率 - 最大: | 1.6W |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装: | P-DSO-8 |
包装: | 标准包装 |
其它名称: | BSO203P HDKR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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445W31L27M00000 | CRYSTAL 27.00000 MHZ 12PF SMD |
445W31K27M00000 | CRYSTAL 27.00000 MHZ 8PF SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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BSO203PHXT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET P-CH 20V 7A DSO-8 |
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BSO203SP | 功能描述:MOSFET P-CH -20 V -8.2 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
BSO203SP H | 功能描述:MOSFET P-KANAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |