- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18278 > BSO203P H (Infineon Technologies)MOSFET P-CH 20V 7A DSO-8 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | BSO203P H |
| 厂商： | Infineon Technologies |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 7A DSO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | OptiMOS™ |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 21 毫欧 @ 8.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 39nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3750pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | P-DSO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | BSO203P HDKR |
4
SY10H607
SY100H607
Micrel, Inc.
M9999-032906
hbwhelp@micrel.com or (408) 955-1690
10H/100H TTL DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS(1)
TA= 0
°CTA= +25°CTA= + 85°C
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
Condition
VOH
Output HIGH Voltage
2.5
—
2.5
—
2.5
—
VIOH = –15mA
2.0
—
2.0
—
2.0
—
IOH = –24mA
VOL
Output LOW Voltage
—
0.55
—
0.55
—
0.55
V
IOL = 48mA
VCCT = VCCE = 5.0V
±5%
Note:
1. DC levels such as VOH, VOL, etc., are standard for PECL and FAST devices, with the exceptions of: IOL =48mA at 0.5 VOL; and IOH = 24mA at 2.0 VOH.
TA= 0
°CTA= +25°CTA= + 85°C
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Min.
Typ.
Max.
Min.
Typ.
Max.
Unit
Condition
tPD
Propagation Delay
ns
CL = 50 pF
to Output
CLK to Q
——
6.0
——
6.0
——
6.0
MR to Q
——
6.0
——
6.0
——
6.0
tskpp
Part-to-Part Skew(1,4)
——
0.5
——
0.5
——
0.5
ns
CL = 50pF
tskew++
Within-Device Skew(2,4)
——
0.3
——
0.3
——
0.3
ns
CL = 50pF
tskew– –
Within-Device Skew(3,4)
——
0.3
——
0.3
——
0.3
ns
CL = 50pF
tS
Set-up Time
0.200
——
0.200
——
0.200
——
ns
tH
Hold Time
0.500
——
0.500
——
0.500
——
ns
tPW
Minimum Pulse Width
ns
CLK, MR
1.0
——
1.0
——
1.0
——
VPP
Minimum Input Swing
200
150
—
200
150
—
200
150
—
mV
tr
Rise/Fall Time
——
1.5
——
1.5
——
1.5
ns
CL = 50pF
tf
1.0V to 2.0V
fMAX
Max. Input Frequency(5,6)
160
——
160
——
160
——
MHz
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS(1)
VCCT = VCCE = 5.0V
±5%
Notes:
1. Device-to-Device Skew considering HIGH-to-HIGH transitions at common VCC level.
2. Within-Device Skew considering HIGH-to-HIGH transitions at common VCC level.
3. Within-Device Skew considering LOW-to-LOW transitions at common VCC level.
4. All skew parameters are guaranteed but not tested.
5. Frequency at which output levels will meet a 0.8V to 2.0V minimum swing.
6. The fMAX value is specified as the minimum guaranteed maximum frequency. Actual operational maximum frequency may be greater.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M2032TYW01/U-JC | SWITCH ROCKER 3PDT 6A 125V |
| M2028TXG13-FC | SWITCH ROCKER DPDT 0.4VA 28V |
| 445W31C27M00000 | CRYSTAL 27.00000 MHZ 16PF SMD |
| 445W31L27M00000 | CRYSTAL 27.00000 MHZ 12PF SMD |
| 445W31K27M00000 | CRYSTAL 27.00000 MHZ 8PF SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BSO203PHXT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET P-CH 20V 7A DSO-8 |
| BSO203PHXUMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 7A 8-Pin DSO Dry 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:P-KANAL - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET P-CH 20V 7A DSO-8 |
| BSO203PNTMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 8.2A 8-Pin DSO 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET DUAL P-CH 20V 8.2A 8-SOIC |
| BSO203SP | 功能描述:MOSFET P-CH -20 V -8.2 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BSO203SP H | 功能描述:MOSFET P-KANAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。