- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18278 > BSO203P H (Infineon Technologies)MOSFET P-CH 20V 7A DSO-8 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | BSO203P H |
| 厂商： | Infineon Technologies |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 7A DSO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | OptiMOS™ |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 21 毫欧 @ 8.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 39nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3750pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | P-DSO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | BSO203P HDKR |
3
SY10H607
SY100H607
Micrel, Inc.
M9999-032906
hbwhelp@micrel.com or (408) 955-1690
Dn
MR
TCLK/CLK
Qn + 1
LL
Z
L
HL
Z
H
XH
X
L
TRUTH TABLE
Z = Low to High Transition.
TA= 0
°CTA= +25°CTA= + 85°C
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Min.
Typ.
Max.
Min.
Typ.
Max.
Unit
Condition
IEE
PECL Power Supply Current
mA
10H
—
70
85
—
70
85
—
70
85
100H
—
65
80
—
70
85
—
75
95
ICCL
TTL Supply Current
—
100
120
—
100
120
—
100
120
mA
ICCH
TTL Supply Current
—
100
120
—
100
120
—
100
120
mA
IOS
Output Short Circuit Current
–100
—–225
–100
—–225
–100
—–225
mA
VCCT = VCCE = 5.0V
±5%
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
10H PECL DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS(1)
VCCT = VCCE = 5.0V
±5%
TA= 0
°CTA= +25°CTA= + 85°C
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
Condition
IIH
Input HIGH Current
—
225
—
145
—
145
A
IIL
Input LOW Current
0.5
—
0.5
—
0.5
—
A
VIH
Input HIGH Voltage
3830
4160
3870
4190
3930
4280
mV
VCCT = 5.0V
VIL
Input LOW Voltage
3050
3520
3050
3520
3050
3555
mV
VCCT = 5.0V
VBB
Output Bias Voltage
3620
3730
3650
3750
3690
3810
mV
VCCT = 5.0V
Note:
1. PECL VIL, VIH, VOL, VOH, VBB are given for VCCT = VCCE = 5.0V and will vary 1:1 with power supply.
100H PECL DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS(1)
VCCT = VCCE = 5.0V
±5%
TA= 0
°CTA= +25°CTA= + 85°C
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
Condition
IIH
Input HIGH Current
—
225
—
145
—
145
A
IIL
Input LOW Current
0.5
—
0.5
—
0.5
—
A
VIH
Input HIGH Voltage
3835
4120
3835
4120
3835
4120
mV
VCCT = 5.0V
VIL
Input LOW Voltage
3190
3525
3190
3525
3190
3525
mV
VCCT = 5.0V
VBB
Output Bias Voltage
3620
3740
3620
3740
3620
3740
mV
VCCT = 5.0V
Note:
1. PECL VIL, VIH, VOL, VOH, VBB are given for VCCT = VCCE = 5.0V and will vary 1:1 with power supply.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M2032TYW01/U-JC | SWITCH ROCKER 3PDT 6A 125V |
| M2028TXG13-FC | SWITCH ROCKER DPDT 0.4VA 28V |
| 445W31C27M00000 | CRYSTAL 27.00000 MHZ 16PF SMD |
| 445W31L27M00000 | CRYSTAL 27.00000 MHZ 12PF SMD |
| 445W31K27M00000 | CRYSTAL 27.00000 MHZ 8PF SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BSO203PHXT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET P-CH 20V 7A DSO-8 |
| BSO203PHXUMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 7A 8-Pin DSO Dry 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:P-KANAL - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET P-CH 20V 7A DSO-8 |
| BSO203PNTMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 8.2A 8-Pin DSO 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET DUAL P-CH 20V 8.2A 8-SOIC |
| BSO203SP | 功能描述:MOSFET P-CH -20 V -8.2 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BSO203SP H | 功能描述:MOSFET P-KANAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。