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参数资料
| 型号： | BSS123-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 170mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 欧姆 @ 170mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 60pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | BSS123DICT |
BSS123
0.7
0.6
0.5
2.4
2.0
0.4
1.6
0.3
0.2
0.1
1.2
0
0
1
2
3 4
5
0.8
0.1
0.2
0.3 0.4 0.5 0.6
1.2
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 On-Region Characteristics
2.2
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 2 On-Resistance Variation with Gate Voltage
and Drain-Source Current
1.1
1
V DS = V GS
I D = 250μA
2
1.8
1.6
1.4
V GS = 10V
I D = 170m
1.2
0.9
1
0.8
0.7
0.8
0.6
0.4
-50
-25
0
25 50
75 100
125 150
-50
-25
0
25
50
75 100 125 150
50
40
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE (oC)
Fig. 3 Gate Threshold Variation with Temperature
T J , JUNCTION TEMPERATURE (oC)
Fig. 4 On-Resistance Variation with Temperature
20
10
C iss
C oss
C rss
0
0
5
10
15
20
25
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 5 Typical Capacitance
BSS123
Document number: DS30366 Rev. 18 - 2
3 of 5
www.diodes.com
August 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSS123_D87Z | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 |
| BSS123TC | MOSFET N-CHAN 100V SOT23-3 |
| BSS123W-7 | MOSFET N-CH 100V 170MA SC70-3 |
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| BSS138_L99Z | MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BSS1237F | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| BSS123-7-F | 功能描述:MOSFET 100V 360mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BSS123-7-F-31 | 制造商:DIODES 功能描述:N-CHANNEL MOSFET / SOT-23 (LEAD FREE) |
| BSS123A | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
| BSS123ATA | 功能描述:MOSFET N-Chnl 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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