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参数资料
| 型号： | BSS84LT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SOT-23-3 Pkg |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 130mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 欧姆 @ 100mA，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 30pF @ 5V |
| 功率 - 最大： | 225mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | BSS84LT1GOSDKR |
BSS84L, BVSS84L
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
9
8
V GS = -4.5 V
150 ° C
7
6.5
6
V GS = -10 V
150 ° C
7
6
5.5
5
5
4
3
2
25 ° C
-55 ° C
4.5
4
3.5
3
2.5
2
25 ° C
-55 ° C
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
2
-I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On ? Resistance versus Drain Current
-8
-I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
1.8
1.6
1.4
1.2
V GS = -10 V
I D = -0.52 A
V GS = -4.5 V
I D = -0.13 A
-7
-6
-5
-4
-3
V DS = -40 V
T J = 25 ° C
I D = -0.5 A
1
-2
0.8
-1
0.6
- 55
-5
45
95
145
0
0
500
1000
1500
2000
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with Temperature
1
Q T , TOTAL GATE CHARGE (pC)
Figure 6. Gate Charge
0.1
T J = 150 ° C
25 ° C
-55 ° C
0.01
0.001
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
-V SD , DIODE FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Body Diode Forward Voltage
http://onsemi.com
3
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参数描述 |
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