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参数资料
| 型号： | BST72A |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | N-channel vertical D-MOS transistor |
| 中文描述： | 190 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
| 封装： | PLASTIC, SC-43, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 75K |
| 代理商： | BST72A |
April 1995
3
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel vertical D-MOS transistor
BST72A
RATINGS
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)
THERMAL RESISTANCE
Note
1.
Transistor mounted on printed circuit board, max. lead length 4 mm.
Drain-source voltage
Drain-source voltage (non-repetitive peak; t
p
≤
2 ms)
Gate-source voltage (open drain)
Drain current (DC)
Drain current (peak)
Total power dissipation up to T
amb
= 25
°
C (note 1)
Storage temperature range
Junction temperature
V
DS
V
DS(SM)
V
GSO
I
D
I
DM
P
tot
T
stg
T
j
max.
max.
max.
max.
max.
max.
65 to + 150
°
C
max.
80 V
100 V
20 V
300 mA
600 mA
0.83 W
150
°
C
From junction to ambient (note 1)
R
th j-a
=
150 K/W
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BST72A,112 | 功能描述:MOSFET BULK MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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