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参数资料
| 型号： | BST72A |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | N-channel vertical D-MOS transistor |
| 中文描述： | 190 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
| 封装： | PLASTIC, SC-43, 3 PIN |
| 文件页数： | 6/12页 |
| 文件大小： | 75K |
| 代理商： | BST72A |
April 1995
6
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel vertical D-MOS transistor
BST72A
Fig.6 T
j
= 25
°
C; typical values.
handbook, halfpage
(A)
0
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
2
4
6
8
MDA763
VDS (V)
VGS = 10 V
5 V
6 V
7 V
8 V
9 V
3 V
4 V
Fig.7 Power derating curve.
handbook,
0
50
100
200
1
0
0.8
150
0.6
0.4
0.2
MDA690
Ptot
(W)
Tamb (
°
C)
Fig.8
typ. values at 150 mA/5 V.
k
R
at T
R
DS on
at 25
°
C
-----------------------------------------
;
=
handbook, halfpage
50
0
50
k
Tj (
°
C)
150
0.5
2.5
100
2
1.5
1
MDA735
Fig.9
V
GS(th)
at 1 mA; typical values.
k
V
V
GS th
)
at 25
°
C
--------------------------------------------
;
=
handbook, halfpage
50
0
50
k
Tj (
°
C)
150
0.7
1.1
100
1
0.9
0.8
MDA736
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| BST72A,112 | 功能描述:MOSFET BULK MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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