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参数资料
| 型号： | BST72A |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | N-channel vertical D-MOS transistor |
| 中文描述： | 190 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
| 封装： | PLASTIC, SC-43, 3 PIN |
| 文件页数： | 8/12页 |
| 文件大小： | 75K |
| 代理商： | BST72A |
April 1995
8
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel vertical D-MOS transistor
BST72A
PACKAGE OUTLINES
UNIT
A
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
mm
5.2
5.0
b
0.48
0.40
c
0.45
0.40
D
4.8
4.4
d
1.7
1.4
E
4.2
3.6
L
14.5
12.7
e
2.54
e1
1.27
L1
(1)
max
L2
max
2.5
2.5
b1
0.66
0.56
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
Notes
1. Terminal dimensions within this zone are uncontrolled to allow for flow of plastic and terminal irregularities.
SOT54 variant
TO-92
SC-43
A
L
0
2.5
5 mm
scale
b
c
D
b
1
L1
d
E
Plastic single-ended leaded (through hole) package; 3 leads (on-circle)
SOT54 variant
1
2
3
L2
e1
e
97-04-14
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BST74A | N-channel vertical D-MOS transistor |
| BST76A | N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BST72A,112 | 功能描述:MOSFET BULK MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BST72A_00 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| BST74A | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel vertical D-MOS transistor |
| BST76 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
| BST76A | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
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