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参数资料
| 型号： | BST76 |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
| 中文描述： | N沟道增强型垂直D-MOS晶体管 |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 78K |
| 代理商： | BST76 |
1997 Jun 20
7
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode
vertical D-MOS transistor
BST76A
PACKAGE OUTLINE
UNIT
A
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
mm
5.2
5.0
b
0.48
0.40
c
0.45
0.40
D
4.8
4.4
d
1.7
1.4
E
4.2
3.6
L
14.5
12.7
e
2.54
e1
1.27
L1
(1)
max
L2
max
2.5
2.5
b1
0.66
0.56
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
Notes
1. Terminal dimensions within this zone are uncontrolled to allow for flow of plastic and terminal irregularities.
SOT54 variant
TO-92
SC-43
A
L
0
2.5
5 mm
scale
b
c
D
b
1
L1
d
E
Plastic single-ended leaded (through hole) package; 3 leads (on-circle)
SOT54 variant
1
2
3
L2
e1
e
97-04-14
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BST80 | N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
| BST84 | N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
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| BSV17 | Small Signal Transistors |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BST76A | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
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