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参数资料
| 型号： | BT131-600D |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 4Q Triac |
| 中文描述： | 4Q双向可控硅 |
| 封装： | BT131-600D<SOT54 (SOT54)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT54.html<1<week 5, 2005,; |
| 文件页数： | 10/13页 |
| 文件大小： | 109K |
| 代理商： | BT131-600D |
BT131_SER_D_E
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 3 — 3 November 2011
6 of 13
NXP Semiconductors
BT131 series D and E
Triacs logic level
6.
Characteristics
Table 5.
Characteristics
Tj = 25 C unless otherwise stated.
Symbol Parameter
Conditions
BT131-600D
BT131-800D
BT131-600E
BT131-800E
Unit
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
Static characteristics
IGT
gate trigger current
VD =12V; IT =100 mA;
see Figure 8
T2+ G+
-
5
-
10
mA
T2+ G
--
5
-
10
mA
T2
G
--
5
-
10
mA
T2
G+
-
7
-
10
mA
IL
latching current
VD =12V; IGT = 100 mA;
see Figure 10
T2+ G+
-
10
-
15
mA
T2+ G
-
20
-
25
mA
T2
G
-
10
-
15
mA
T2
G+
-
10
-
15
mA
IH
holding current
VD =12V; IGT = 100 mA;
see Figure 11
-
1.3
10
-
1.3
10
mA
VT
on-state voltage
-
1.2
1.5
-
1.2
1.5
V
VGT
gate trigger voltage
VD =12V; Tj =25 C
-
0.7
1.5
-
0.7
1.5
V
VD =400 V; Tj =125 C0.2
0.3
-
0.2
0.3
-
V
ID
off-state current
VD = VDRM(max); Tj =125 C
-
0.1
0.5
-
0.1
0.5
mA
Dynamic characteristics
dVcom/dt rate of change of
commutating voltage
VDM =400 V; Tj =125 C;
dIcom/dt = 0.5 A/ms
3-
-
5
-
V/
s
dVD/dt
rate of rise of off-state
voltage
VDM =67% of VDRM(max);
Tj = 125 C; exponential
waveform; RGK =1k;
see Figure 12
20
-
50
-
V/
s
tgt
gate-controlled
turn-on time
ITM = 1.5 A; VD =VDRM(max);
IG = 100 mA; dIG/dt = 5 A/s
-2-
-
2
-
s
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BT131-600E | 4Q Triac |
| BT131-800D | 4Q Triac |
| BT131-800E | 4Q Triac |
| BT131-600 | 4Q Triac |
| BT131-800 | 4Q Triac |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BT131-600D,412 | 功能描述:双向可控硅 600V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| BT131-600D/L01EP | 功能描述:TRIAC SENS GATE 600V 1A 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:停产 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压 - 断态:600V 电流 - 通态（It（RMS））（最大值）:1A 电压 - 栅极触发（Vgt）（最大值）:1V 电流 - 不重复浪涌 50，60Hz（Itsm）:12.5A，13.7A 电流 - 栅极触发（Igt）（最大值）:5mA 电流 - 保持（Ih）（最大值）:10mA 配置:单一 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:500 |
| BT131-600D412 | 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| BT131-600DQP | 功能描述:双向可控硅 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| BT131-600E | 功能描述:双向可控硅 TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
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