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参数资料
| 型号： | BT131-600D |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 4Q Triac |
| 中文描述： | 4Q双向可控硅 |
| 封装： | BT131-600D<SOT54 (SOT54)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT54.html<1<week 5, 2005,; |
| 文件页数： | 5/13页 |
| 文件大小： | 109K |
| 代理商： | BT131-600D |
NXP Semiconductors
BT131 series D and E
Triacs logic level
NXP B.V. 2011.
All rights reserved.
For more information, please visit: http://www.nxp.com
For sales office addresses, please send an email to: salesaddresses@nxp.com
Date of release: 3 November 2011
Document identifier: BT131_SER_D_E
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12. Contents
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BT131-600E | 4Q Triac |
| BT131-800D | 4Q Triac |
| BT131-800E | 4Q Triac |
| BT131-600 | 4Q Triac |
| BT131-800 | 4Q Triac |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BT131-600D,412 | 功能描述:双向可控硅 600V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| BT131-600D/L01EP | 功能描述:TRIAC SENS GATE 600V 1A 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:停产 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压 - 断态:600V 电流 - 通态（It（RMS））（最大值）:1A 电压 - 栅极触发（Vgt）（最大值）:1V 电流 - 不重复浪涌 50，60Hz（Itsm）:12.5A，13.7A 电流 - 栅极触发（Igt）（最大值）:5mA 电流 - 保持（Ih）（最大值）:10mA 配置:单一 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:500 |
| BT131-600D412 | 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| BT131-600DQP | 功能描述:双向可控硅 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| BT131-600E | 功能描述:双向可控硅 TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
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