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参数资料
| 型号： | BT132-600D |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 4Q Triac |
| 中文描述： | 4Q双向可控硅 |
| 封装： | BT132-600D<SOT54 (TO-92)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT54.html<1<Always Pb-free,;BT132-600D<SOT54 (TO-92)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT54.html<1<week 5, 2005 |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 90K |
| 代理商： | BT132-600D |
1;3 Semiconductors
Product specification
Triacs
BT132 series D
logic level
THERMAL RESISTANCES
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
R
th j-lead
Thermal resistance
full cycle
-
60
K/W
junction to lead
half cycle
-
80
K/W
R
th j-a
Thermal resistance
pcb mounted;lead length = 4mm
-
150
-
K/W
junction to ambient
STATIC CHARACTERISTICS
T
j = 25 C unless otherwise stated
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
I
GT
Gate trigger current
V
D = 12 V; IT = 0.1 A
T2+ G+
-
2.0
5
mA
T2+ G-
-
2.5
5
mA
T2- G-
-
2.5
5
mA
T2- G+
-
5.0
10
mA
I
L
Latching current
V
D = 12 V; IGT = 0.1 A
T2+ G+
-
1.6
10
mA
T2+ G-
-
4.5
15
mA
T2- G-
-
1.2
10
mA
T2- G+
-
2.2
15
mA
I
H
Holding current
V
D = 12 V; IGT = 0.1 A
-
1.2
10
mA
V
T
On-state voltage
I
T = 5 A
-
1.4
1.70
V
GT
Gate trigger voltage
V
D = 12 V; IT = 0.1 A
-
0.7
1.5
V
D = 400 V; IT = 0.1 A; Tj = 125 C
0.25
0.4
-
V
I
D
Off-state leakage current
V
D = VDRM(max); Tj = 125 C
-
0.1
0.5
mA
DYNAMIC CHARACTERISTICS
T
j = 25 C unless otherwise stated
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
dV
D/dt
Critical rate of rise of
V
DM = 67% VDRM(max); Tj = 125 C;
-
5
-
V/
μs
off-state voltage
exponential waveform; R
GK = 1 k
Ω
t
gt
Gate controlled turn-on
I
TM = 6 A; VD = VDRM(max); IG = 0.1 A;
-
2
-
μs
time
dI
G/dt = 5 A/
μs
January 1998
2
Rev 1.000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BT134-600 | 4Q Triac |
| BT254KPJ20 | SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PQCC84 |
| BT450KC30 | 16 X 12 PIXELS PALETTE-DAC DSPL CTLR, CDIP28 |
| BT450KC66 | 16 X 12 PIXELS PALETTE-DAC DSPL CTLR, CDIP28 |
| BT450KC50 | 16 X 12 PIXELS PALETTE-DAC DSPL CTLR, CDIP28 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BT132-600D,116 | 功能描述:双向可控硅 Thyristor TRIAC 600V 17.6A 3-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| BT132-600D,412 | 功能描述:双向可控硅 THYR AND TRIACS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| BT132-600D116 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| BT132SERIESD | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Triacs logic level |
| BT1337TC | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述: |
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