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参数资料
| 型号： | BT132-600D |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 4Q Triac |
| 中文描述： | 4Q双向可控硅 |
| 封装： | BT132-600D<SOT54 (TO-92)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT54.html<1<Always Pb-free,;BT132-600D<SOT54 (TO-92)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT54.html<1<week 5, 2005 |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 90K |
| 代理商： | BT132-600D |
1;3 Semiconductors
Product specification
Triacs
BT132 series D
logic level
Fig.1. Maximum on-state dissipation, P
tot, versus rms
on-state current, I
T(RMS), where
α = conduction angle.
Fig.2. Maximum permissible non-repetitive peak
on-state current I
TSM, versus pulse width tp, for
sinusoidal currents, t
p
≤ 20ms.
Fig.3. Maximum permissible non-repetitive peak
on-state current I
TSM, versus number of cycles, for
sinusoidal currents, f = 50 Hz.
Fig.4. Maximum permissible rms current I
T(RMS) ,
versus lead temperature T
lead.
Fig.5. Maximum permissible repetitive rms on-state
current I
T(RMS), versus surge duration, for sinusoidal
currents, f = 50 Hz; T
lead
≤ 51C.
Fig.6. Normalised gate trigger voltage
V
GT(Tj)/ VGT(25C), versus junction temperature Tj.
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
=180
120
90
60
30
BT132D
0
IT(RMS) / A
Ptot / W
Tmb(max) / C
125
1
113
101
89
77
65
53
41
-50
0
50
100
150
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
BT132D
51 C
Tmb / C
IT(RMS) / A
10us
100us
1ms
10ms
100ms
10
100
1000
BT132D
T / s
ITSM / A
T
ITSM
time
I
Tj initial = 25 C max
T
T2- G+ quadrant
dI /dt limit
T
0.01
0.1
1
10
0
0.5
1
1.5
24
2.5
3
BT132D
surge duration / s
IT(RMS) / A
10
100
1000
0
BT136
Number of cycles at 50Hz
ITSM / A
T
ITSM
time
I
Tj initial = 25 C max
T
5
10
15
20
-50
0
50
100
150
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
BT136
Tj / C
VGT(Tj)
VGT(25 C)
January 1998
3
Rev 1.000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BT134-600 | 4Q Triac |
| BT254KPJ20 | SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PQCC84 |
| BT450KC30 | 16 X 12 PIXELS PALETTE-DAC DSPL CTLR, CDIP28 |
| BT450KC66 | 16 X 12 PIXELS PALETTE-DAC DSPL CTLR, CDIP28 |
| BT450KC50 | 16 X 12 PIXELS PALETTE-DAC DSPL CTLR, CDIP28 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BT132-600D,116 | 功能描述:双向可控硅 Thyristor TRIAC 600V 17.6A 3-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| BT132-600D,412 | 功能描述:双向可控硅 THYR AND TRIACS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| BT132-600D116 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| BT132SERIESD | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Triacs logic level |
| BT1337TC | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述: |
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