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参数资料
| 型号： | BTA416Y-600C |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 3Q Hi-Com Triac |
| 封装： | BTA416Y-600C<SOT78D (TO-220AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT78D.html<1<,; |
| 文件页数： | 3/14页 |
| 文件大小： | 151K |
| 代理商： | BTA416Y-600C |
BTA416Y-600C
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 3 — 23 June 2011
3 of 14
NXP Semiconductors
BTA416Y-600C
3Q Hi-Com Triac
4.
Limiting values
Table 4.
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Limiting values
Symbol
V
DRM
I
T(RMS)
Parameter
repetitive peak off-state voltage
RMS on-state current
Conditions
Min
-
-
Max
600
16
Unit
V
A
full sine wave; T
mb
≤
108 °C; see
Figure 1
;
see
Figure 2
; see
Figure 3
full sine wave; T
j(init)
= 25 °C; t
p
= 20 ms;
see
Figure 4
; see
Figure 5
full sine wave; T
j(init)
= 25 °C; t
p
= 16.7 ms
t
p
= 10 ms; sine-wave pulse
I
T
= 20 A; I
G
= 0.2 A; dI
G
/dt = 0.2 A/μs
I
TSM
non-repetitive peak on-state
current
-
160
A
-
-
-
-
-
-
-40
-
176
128
100
4
5
1
150
150
A
A
2
s
A/μs
A
W
W
°C
°C
I
2
t
dI
T
/dt
I
GM
P
GM
P
G(AV)
T
stg
T
j
I
2
t for fusing
rate of rise of on-state current
peak gate current
peak gate power
average gate power
storage temperature
junction temperature
over any 20 ms period
Fig 1.
RMS on-state current as a function of surge
duration; maximum values
Fig 2.
RMS on-state current as a function of mounting
base temperature; maximum values
003aab819
0
10
2
10
20
30
40
50
60
10
1
1
surge duration (s)
10
I
T(RMS)
(A)
003aab820
0
4
8
12
16
20
50
0
50
100
150
T
mb
(
°
C)
I
T(RMS)
(A)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BTH151S-650R | SCR |
| C-1021X | SINGLE DIGIT DISPLAY |
| C-1021E | SINGLE DIGIT DISPLAY |
| C-1021G | SINGLE DIGIT DISPLAY |
| C-1021H | SINGLE DIGIT DISPLAY |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BTA416Y-600C,127 | 功能描述:双向可控硅 RAIL-THYR AND TRIACS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| BTA416Y-800B | 功能描述:双向可控硅 RAIL-THYR AND TRIACS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| BTA416Y-800B,127 | 功能描述:双向可控硅 RAIL-THYR AND TRIACS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| BTA416Y-800C | 功能描述:双向可控硅 RAIL-THYR AND TRIACS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| BTA416Y-800C,127 | 功能描述:双向可控硅 RAIL-THYR AND TRIACS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
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