收藏本站
参数资料
型号： BTA416Y-600C
厂商： NXP Semiconductors N.V.
元件分类： 参考电压二极管
英文描述： 3Q Hi-Com Triac
封装： BTA416Y-600C<SOT78D (TO-220AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT78D.html<1<,;
文件页数： 7/14页
文件大小： 151K
代理商： BTA416Y-600C
BTA416Y-600C
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 3 — 23 June 2011
7 of 14
NXP Semiconductors
BTA416Y-600C
3Q Hi-Com Triac
7.
Characteristics
Table 7.
Symbol
Static characteristics
I
GT
Characteristics
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
gate trigger current
V
D
= 12 V; I
T
= 0.1 A; T2+ G+; T
j
= 25 °C;
see
Figure 7
V
D
= 12 V; I
T
= 0.1 A; T2+ G-; T
j
= 25 °C;
see
Figure 7
V
D
= 12 V; I
T
= 0.1 A; T2- G-; T
j
= 25 °C;
see
Figure 7
V
D
= 12 V; I
G
= 0.1 A; T2+ G+; T
j
= 25 °C;
see
Figure 8
V
D
= 12 V; I
G
= 0.1 A; T2+ G-; T
j
= 25 °C;
see
Figure 8
V
D
= 12 V; I
G
= 0.1 A; T2- G-; T
j
= 25 °C;
see
Figure 8
V
D
= 12 V; T
j
= 25 °C; see
Figure 9
I
T
= 20 A; T
j
= 25 °C; see
Figure 10
V
D
= 12 V; I
T
= 0.1 A; T
j
= 25 °C;
see
Figure 11
V
D
= 400 V; I
T
= 0.1 A; T
j
= 150 °C
V
D
= 600 V; T
j
= 125 °C
V
D
= 600 V; T
j
= 150 °C
2
-
35
mA
2
-
35
mA
2
-
35
mA
I
L
latching current
-
-
50
mA
-
-
60
mA
-
-
50
mA
I
H
V
T
V
GT
holding current
on-state voltage
gate trigger voltage
-
-
-
-
1.2
0.7
35
1.5
1.5
mA
V
V
0.25
0.4
-
V
I
D
off-state current
-
-
0.1
0.4
0.5
2
mA
mA
Dynamic characteristics
dV
D
/dt
rate of rise of off-state voltage V
DM
= 402 V; T
j
= 125 °C; exponential
waveform; gate open ciucuit
V
DM
= 402 V; T
j
= 150 °C; exponential
waveform; gate open circuit
V
D
= 400 V; T
j
= 125 °C; I
T(RMS)
= 16 A;
dV
com
/dt = 20 V/μs; (without snubber
condition); gate open circuit
V
D
= 400 V; T
j
= 150 °C; I
T(RMS)
= 16 A;
dV
com
/dt = 20 V/μs; (without snubber
condition); gate open circuit
I
TM
= 20 A; V
D
= 600 V; I
G
= 100 mA;
dI
G
/dt = 5 A/μs
500
-
-
V/μs
300
-
-
V/μs
dI
com
/dt
rate of change of
commutating current
10
-
-
A/ms
4
-
-
A/ms
t
gt
gate-controlled turn-on time
-
2
-
μs
相关PDF资料
PDF描述
BTH151S-650R SCR
C-1021X SINGLE DIGIT DISPLAY
C-1021E SINGLE DIGIT DISPLAY
C-1021G SINGLE DIGIT DISPLAY
C-1021H SINGLE DIGIT DISPLAY
相关代理商/技术参数
参数描述
BTA416Y-600C,127 功能描述:双向可控硅 RAIL-THYR AND TRIACS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB
BTA416Y-800B 功能描述:双向可控硅 RAIL-THYR AND TRIACS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB
BTA416Y-800B,127 功能描述:双向可控硅 RAIL-THYR AND TRIACS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB
BTA416Y-800C 功能描述:双向可控硅 RAIL-THYR AND TRIACS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB
BTA416Y-800C,127 功能描述:双向可控硅 RAIL-THYR AND TRIACS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*