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参数资料
| 型号： | BTH151S-650R |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | SCR |
| 封装： | BTH151S-650R<SOT428 (DPAK)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT428.html<1<week 1, 2005,; |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 116K |
| 代理商： | BTH151S-650R |
D
D
ATA SHEET
Product
s
pecification
March 2001
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BTH151S-650R
Thyristor
High Repetitive Surge
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BTH151S-650R /T3 | 功能描述:SCR TAPE13 TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| BTH151S-650R,118 | 功能描述:SCR TAPE13 TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| BTH-1712-03P1D | 制造商:Amphenol Corporation 功能描述:HERMETICS-ALL SERIES - Bulk |
| BTH-1716-10P1D | 制造商:Amphenol Corporation 功能描述:HERMETIC / BTH-1716-10P1D - Bulk |
| BTH-180-02-L-D-A | 功能描述:.5MM DOUBLE ROW TERMINAL ASSEMBL 制造商:samtec inc. 系列:BTH 包装:管件 零件状态:在售 连接器类型:接头，外罩触点 针脚数:360 间距:0.020"（0.50mm） 排数:2 安装类型:表面贴装 特性:板导轨 触头镀层:金 触头镀层厚度:10μin（0.25μm） 接合堆叠高度:8mm 板上高度:0.286"（7.26mm） 标准包装:1 |
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