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参数资料
| 型号： | BTH151S-650R |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | SCR |
| 封装： | BTH151S-650R<SOT428 (DPAK)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT428.html<1<week 1, 2005,; |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 116K |
| 代理商： | BTH151S-650R |
Semiconductors
Product specification
Thyristor
High Repetitive Surge
BTH151S-650R
Fig.2. Maximum on-state dissipation, P
, versus
average on-state current, I
T(AV)
, where
a = form factor = I
T(RMS)
T(AV)
.
Fig.3. Maximum permissible rms current I
T(RMS)
,
versus mounting base temperature T
mb
Fig.4. Maximum permissible rms current I
T(RMS)
,
versus mounting base temperature T
mb
Fig.5. Maximum permissible non-repetitive peak
on-state current I
, versus number of cycles, for
sinusoidal currents, f = 50 Hz.
Fig.6. Maximum permissible repetitive rms on-state
current I
T(RMS)
, versus surge duration, for sinusoidal
mb
≤
103C.
Fig.7. Normalised gate trigger voltage
V
GT
(T
j
)/ V
GT
(25C), versus junction temperature T
j
.
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
5
10
15
a = 1.57
1.9
2.2
2.8
4
IF(AV) / A
Ptot / W
Tmb(max) / C
125
conduction
angle
degrees
30
60
90
120
180
form
factor
a
4
2.8
2.2
1.9
1.57
116
107
98
1
10
100
1000
0
20
40
60
80
100
120
Number of half cycles at 50Hz
ITSM / A
T
ITSM
time
I
Tj initial = 25 C max
T
0.01
0.1
1
10
0
5
10
15
20
25
surge duration / s
IT(RMS) / A
10
10us
100
1000
100us
1ms
10ms
T / s
ITSM / A
T
ITSM
time
I
Tj initial = 25 C max
T
dI /dt limit
-50
0
50
100
150
0
5
10
15
Tmb / C
IT(RMS) / A
103 C
-50
0
100
150
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
T50
VGT(Tj)
VGT(25 C)
March 2001
3
Rev 1.001
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PDF描述 |
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参数描述 |
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