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参数资料
| 型号： | BU1706A |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | Silicon Diffused Power Transistor |
| 中文描述： | 5 A, 850 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封装： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 76K |
| 代理商： | BU1706A |
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU1706A
Fig.3. Test circuit resistive load. V
= -6 to +8 V
V
= 250 V; tp = 20
μ
s;
δ
= tp / T = 0.01.
R
B
and R
L
calculated from I
Con
and I
Bon
requirements.
Fig.4. Switching times waveforms with resistive load.
Fig.5. Test circuit inductive load.
V
CC
= 300 V; -V
BE
= 5 V; L
B
= 1 uH
Fig.6. Test Circuit RBSOA.
V
CC
= 150 V; -V
BB
= 5 V; L
C
= 2 mH; V
CL
≤
1500 V;
L
B
= 1
μ
H
Fig.7. Switching times waveforms with inductive load.
Fig.8. Normalised power dissipation.
PD% = 100
PD/PD
25 C
= f (T
mb
)
tp
T
VCC
R
R
T.U.T.
0
VIM
B
L
LB
IBend
-VBB
LC
T.U.T.
VCC
VCL
CFB
IC
IB
10 %
10 %
90 %
90 %
ton
toff
ts
tf
IBon
-IBoff
ICon
tr
30ns
IC
IB
ICon
90 %
IBon
-IBoff
t
t
ts
toff
tf
10 %
LB
IBon
-VBB
LC
T.U.T.
VCC
0
20
40
60
80
100
120
140
Tmb / C
PD%
Normalised Power Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
September 1997
3
Rev 1.000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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