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参数资料
| 型号： | BU1706AB |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | Silicon Diffused Power Transistor |
| 中文描述： | 5 A, 850 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 83K |
| 代理商： | BU1706AB |
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU1706AB
Fig.15. Forward bias safe operating area. T
mb
= 25 C
I
II
NB:
Region of permissible DC operation.
Extension for repetitive pulse operation.
Mounted with heatsink compound and
30
±
5 newton force on the centre of the
envelope.
Fig.16. Reverse bias safe operating area. T
j
≤
T
jmax
IC / A
VCE / V
0.01
0.1
1
10
1
10
100
1000
tp =
100 us
1 ms
10 ms
DC
CDC
I
CM
I
tot
P
6
5
4
3
2
1
0
0
400
800
1200
1600
2000
IC / A
BU1706A
VCE / V
February 1998
5
Rev 1.000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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