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参数资料
| 型号： | BU2506DX |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | Silicon Diffused Power Transistor |
| 中文描述： | 5 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC, FULL PACK-3 |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 66K |
| 代理商： | BU2506DX |
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU2506DF
Fig.7. Typical base-emitter saturation voltage.
V
BE
sat = f (I
B
); parameter I
C
Fig.8. Typical collector-emitter saturation voltage.
V
CE
sat = f (I
B
); parameter I
C
Fig.9. Typical turn-off losses.T
j
= 85C
Eoff = f (I
B
); parameter I
C
Fig.10. Typical collector storage and fall time.
ts = f (I
B
); tf = f (I
B
); parameter I
C
; T
j
= 85C
Fig.11. Normalised power dissipation.
PD% = 100
P
D
/P
D 25C
= f (T
hs
)
0
1
2
3
4
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
Tj = 25 C
Tj = 125 C
VBESAT / V
IB / A
IC =
4A
3A
2.5A
0.1
1
10
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
ts, tf / us
IB / A
ts
tf
IC =
3A
2.5A
0.1
1
10
10
1
0.1
Tj = 25 C
Tj = 125 C
VCESAT / V
IB / A
IC = 2.5A
3A
4A
0
20
40
60
80
100
120
140
Ths / C
PD%
Normalised Power Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
with heatsink compound
0.1
1
10
1000
100
10
IC = 3A
2.5A
Eoff / uJ
IB / A
September 1997
4
Rev 1.400
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BU2507AX | Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2507DF | Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2507DX | Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2507 | Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2507AF | Silicon Diffused Power Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| BU2506-E3/51 | 功能描述:桥式整流器 25 Amp 600 Volt RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
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