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参数资料
| 型号： | BU2507AX |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | Silicon Diffused Power Transistor |
| 中文描述： | 8 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC, FULL PACK-3 |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 55K |
| 代理商： | BU2507AX |
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU2507AX
Fig.7. Typical base-emitter saturation voltage.
V
BE
sat = f (I
B
); parameter I
C
Fig.8. Typical losses.
P
TOT
= f (I
B
); I
C
= 4 A; f = 16 kHz
Fig.9. Typical collector storage and fall time.
ts = f (I
B
); tf = f (I
B
); I
C
= 4.0 A; T
j
= 85C; f = 16 kHz
Fig.10. Normalised power dissipation.
PD% = 100
P
D
/P
D 25C
= f (T
mb
)
Fig.11. Transient thermal impedance.
Z
th j-hs
= f(t); parameter D = t
p
/T
0
0.5
1
1.5
2
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
IB / A
VBEsat / V
Ths = 25 C
Ths = 85 C
BU2507AF/AX
IC = 4 A
IC = 3 A
0
20
40
60
80
100
120
140
Ths / C
PD%
Normalised Power Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
with heatsink compound
BU2507AF/DF/AX/DX
0
0.5
1
1.5
2
0.1
1
IB / A
Ptot / W
10
Ths = 25 C
Ths = 85 C
1E-06
1E-4
10E-2
t / s
1E+00
0.001
0.01
0.1
1
10
BU2507AF/X/DF/X
Zth / K/W
D =
t
p
t
p
T
T
P
t
D
D = 0
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
0
0.5
1
1.5
2
0
2
4
6
8
10
BU2507AF/AX/Df/DX85ts/tf
IB / A
ts/tf/ us
September 1997
4
Rev 1.100
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BU2507DF | Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2507DX | Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2507 | Silicon Diffused Power Transistor |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BU2507DF | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor |
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| BU2507FV-E2 | 功能描述:数模转换器- DAC 10 BIT D/A CNVTR 14-Pin RoHS:否 制造商:Texas Instruments 转换器数量:1 DAC 输出端数量:1 转换速率:2 MSPs 分辨率:16 bit 接口类型:QSPI, SPI, Serial (3-Wire, Microwire) 稳定时间:1 us 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-14 封装:Tube |
| BU2508 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Enhanced PowerBridge Rectifiers |
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